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宁洪龙

作品数：389 被引量：158H指数：8
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 310篇专利
  • 57篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 63篇电子电信
  • 47篇自动化与计算...
  • 39篇一般工业技术
  • 19篇理学
  • 11篇金属学及工艺
  • 10篇化学工程
  • 8篇轻工技术与工...
  • 4篇经济管理
  • 4篇机械工程
  • 4篇电气工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇建筑科学
  • 2篇文化科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇农业科学
  • 1篇政治法律

主题

  • 100篇晶体管
  • 87篇薄膜晶体
  • 86篇薄膜晶体管
  • 65篇喷墨
  • 62篇喷墨打印
  • 46篇氧化物
  • 43篇电极
  • 39篇退火
  • 32篇纳米
  • 31篇绝缘
  • 31篇绝缘层
  • 28篇溶液法
  • 27篇电致变色
  • 27篇墨水
  • 25篇溅射
  • 24篇印刷
  • 23篇氧化锆
  • 23篇墨滴
  • 22篇印墨
  • 19篇金属

机构

  • 389篇华南理工大学
  • 8篇五邑大学
  • 3篇南京航空航天...
  • 3篇华南师范大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇广州新视界光...
  • 2篇东莞理工学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇华南农业大学
  • 1篇暨南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇阜阳师范大学
  • 1篇广东聚华印刷...
  • 1篇广东欧莱高新...
  • 1篇深圳市华星光...

作者

  • 389篇宁洪龙
  • 349篇彭俊彪
  • 339篇姚日晖
  • 102篇王磊
  • 90篇蔡炜
  • 85篇徐苗
  • 79篇陈建秋
  • 71篇梁志豪
  • 64篇张旭
  • 43篇李晓庆
  • 38篇赵杰
  • 35篇郑泽科
  • 29篇吴为敬
  • 29篇兰林锋
  • 29篇邹建华
  • 28篇许伟
  • 25篇陶洪
  • 23篇曾璇
  • 14篇曾勇
  • 12篇方志强

传媒

  • 8篇发光学报
  • 8篇液晶与显示
  • 6篇材料导报
  • 6篇材料研究与应...
  • 3篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇真空
  • 2篇东莞理工学院...
  • 2篇材料工程
  • 2篇电子设计工程
  • 2篇数字印刷
  • 1篇现代计算机
  • 1篇包装工程
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇广东化工
  • 1篇光电子技术
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇单片机与嵌入...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 12篇2024
  • 28篇2023
  • 53篇2022
  • 47篇2021
  • 56篇2020
  • 60篇2019
  • 81篇2018
  • 30篇2017
  • 15篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
共 389 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具
本实用新型属于薄膜材料分析领域，公开了一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具。所述夹具由玻璃片、玻璃片上的金属衬底和金属衬底上的双面胶构成。本实用新型以一种简单的样品夹具，解决了小尺寸薄膜样品在使用岛津傅立叶红外光谱测...
宁洪龙蔡炜姚日晖陶瑞强陈建秋朱镇南郑泽科章红科彭俊彪
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一种可变空间密度型的多色墨阵列化电喷印头及其控制方法
本发明公开了一种可变空间密度型的多色墨阵列化电喷印头及其控制方法。本可变空间密度型的多色墨阵列化电喷印头包括多个喷头容体、多个电喷印头、横梁、多个平移模块、切换模块、驱动模块；电喷印头与喷头容体连接；喷头容体内部设有多个...
宁洪龙赵杰姚日晖钟锦耀杨跃鑫李牧云符晓邹文昕郭晨潇彭俊彪
文献传递
一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法。所述氧化锡基半导体薄膜晶体管由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。本发明以非晶掺硅氧化锡作为有...
宁洪龙刘贤哲姚日晖胡诗犇张啸尘李晓庆张建东徐苗王磊彭俊彪
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一种检测TFT中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法
本发明属于薄膜器件分析领域，公开了一种检测TFT中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法。将溶液法绝缘层TFT样品放置于μ‑PCD仪器中，测试样品的载流子强度以及光电导衰减情况，从而得出溶液法绝缘层的均匀性及TFT器件质量...
宁洪龙蔡炜姚日晖陶瑞强陈建秋朱镇南魏靖林刘贤哲周尚雄彭俊彪
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一种低成本电致变色器件及其制备方法
本发明属于光电器件领域，公开了一种低成本电致变色器件及其制备方法。将氯化钨溶于无水乙醇中得到前驱体溶液，然后旋涂在带有透明导电电极的玻璃衬底上，静置30～60min后在100～300℃的温度下退火处理，得到WO<Sub>...
姚日晖史沐杨宁洪龙李志航袁炜健张观广张旭梁志豪梁宏富彭俊彪
环境友好型InP量子点的合成及其发光性能的研究进展
2021年
在光电显示领域中,量子点发光二极管(quantum dots light-emitting diode,QLED)因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽、高的色纯度等优异性能而受到广泛关注,并被认为是下一代显示技术极为突出的候选者。目前,镉基QLED的红、绿、蓝三色发光性能已十分接近有机发光二级管的水平,但是镉元素对人体及环境具有严重的危害性。InP量子点具有较大的激子波尔半径、宽的光谱可调性(可覆盖整个可见光区)以及与镉基量子点相媲美的光电性质,而成为最有望替代镉基量子点的环境友好型量子点。因此,本文详细总结了近年来InP量子点的合成(核壳的结构、配体的选择等)与荧光性能及其QLED发光性能等方面的研究进展,并对InP QLED所面临的问题、挑战及其可行性解决方案进行了讨论和展望。
王璞蔡平张小文许伟张观广姚日晖宁洪龙郑华
关键词：磷化铟荧光量子产率发光性能
一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd‑IZ...
宁洪龙陈建秋姚日晖杨财桂陶瑞强周艺聪邓宇熹周尚雄袁炜健彭俊彪
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一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法
本发明属于印刷电子领域，公开了一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法。所述喷墨打印墨水由聚合物的良溶剂、聚合物的非良溶剂、聚合物和八水合氯氧化锆组成；所述聚合物为聚丙烯酰胺或聚乙烯醇。其制备方法为：往聚合物的良溶剂中加入...
宁洪龙朱镇南姚日晖蔡炜魏靖林陶瑞强陈建秋周尚雄邓宇熹彭俊彪
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一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法。将Zr(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶...
宁洪龙周尚雄姚日晖蔡炜朱镇南魏靖林陶瑞强陈建秋袁炜健彭俊彪
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一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法
本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm...
彭俊彪卢宽宽宁洪龙姚日晖胡诗犇魏靖林邹建华陶洪徐苗王磊
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