尚勋忠
- 作品数：42 被引量：71H指数：5
- 供职机构：湖北大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>
- 纳米CuInS_2光伏材料研究进展被引量：2
- 2013年
- 三元系铜铟硫CuInS2(CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点。从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势。
- 郭健勇常钢邓泽燕尚勋忠何云斌
- 关键词：三元系纳米材料
- LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷被引量：4
- 2012年
- 采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料。LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点。实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950～1050℃,比未添加时的烧结温度低240～340℃。当w(LiBiO2)=1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε3T3/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51μC/cm2,体积密度ρ=7.45g/cm3。该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中。
- 刘越彦尚勋忠孙锐郭金明周桃生常钢何云斌
- 分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
- 2006年
- 采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.
- 吴静尚勋忠
- 关键词：分子束外延INGAP/GAASX-RAY光荧光
- 大各向异性改性PbTiO_3压电陶瓷材料设计与研究被引量：1
- 1999年
- 自行设计一种以 (Mn1/ 3 Sb2 / 3 ) 4+ B位取代Ti4 + 为特征的新型改性PT压电陶瓷材料 ,典型配方主要性能参数为 :TC=2 52℃、εT3 3 /ε0 =1 60、tgδ =1 % ;d3 3 =70× 1 0 -12 C/N、kt=0 .60、kp≈ 0、kt/kp→∞ ;Qm=4 3、Nt=2 0 0 4Hz·m .该材料具有良好的烧结特性及高厚度机电耦合系数、大压电各向异性、低机械品质因素、小介电常数等优异特性 ,在超声换能器尤其是NDT探头、水听器及宽带高频滤波器的研制上显示出好的应用前景 .
- 何云斌苗君周桃生尚勋忠张源伟邝安祥
- 关键词：压电陶瓷钛酸铅
- 一种压电陶瓷降压变压器材料的制备被引量：1
- 1999年
- 一种新型添加CaCO3 、Bi(Cd1/ 2 Ti1/ 2 )O3 、MnO2 的改性PbTiO3 是压电陶瓷降压变压器的较佳材料 .在采用传统的陶瓷制备工艺的基础上 ,通过实验研究了预烧合成、烧成及人工极化等主要工艺条件对材料性能的影响 。
- 尚勋忠张源伟周桃生何云斌柴荔英邝安祥
- 关键词：压电陶瓷改性钛酸铅
- 稀土掺杂对BSPT压电陶瓷的性能影响被引量：1
- 2018年
- 在0.36 BiScO3-0.64 PbTiO_3(BSPT64)系压电陶瓷中,掺入适量稀土元素氧化物(Tm_2O_3、Sm_2O_3),采用固相烧结工艺制备出性能得到改善的高居里温度压电陶瓷.XRD图谱表明少量稀土掺杂不影响材料晶体结构,SEM图样表明稀土掺杂对晶粒尺寸有影响,Tm2O3和Sm2O3可促进晶粒生长,提高材料致密度.适量的稀土氧化物掺杂可调节陶瓷性能,当掺入Sm2O3的质量分数达到0.100%时,材料的相对介电常数εT33/ε0=2 199;当掺入Tm2O3的质量分数达到0.075%时,压电应变常数d33=480 p C/N.
- 谢辉张熠杰阳浩周桃生尚勋忠
- 关键词：压电陶瓷稀土掺杂
- 共沉淀法制备部分钇稳定的二氧化锆
- 2012年
- 采用共沉淀法制备了部分钇稳定的二氧化锆粉体（YSZ），研究了不同钇含量、不同锆液浓度和不同煅烧条件对粉体的相结构的影响。实验结果表明YSZ粉体中四方相含量变化对钇的掺杂量极为敏感，锆液浓度必须高于0．2mol／L才能得到部分稳定的二氧化锆，煅烧条件对粉体的相结构无明显影响。通过实验获得了YSZ粉体的较佳制备条件。
- 孙锐尚勋忠刘越彦郭金明常钢周桃生何云斌
- 关键词：二氧化锆共沉淀法相结构
- CeO_2掺杂(Ba,Sr,Ca)TiO_3基高压电容陶瓷的研究被引量：4
- 2010年
- 采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3.0.03(Bi2O3.3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响。随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小。当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384。当CeO2为0.2wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料。利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界。
- 姜丹周桃生刘珩尚勋忠张蕾何云斌
- 关键词：掺杂改性二氧化铈
- 弛豫铁电体介电可调性的研究被引量：2
- 2012年
- 无铅弛豫铁电体具有较好的介电可调性,在顺电相有较大的介电常数和极小的损耗,因较大的优值而被广泛地用于微波器件.根据现有的介电可调性理论,通过参量的适当修正,对介电可调性的表达式做了合理的探讨,结论适用于处理实验结果.比较发现,在电场作用下顺电相保持不变的近似得出的结论与实验结果差距较大,而转化为铁电相与实验结果完全吻合.考虑外加电场和自发极化对弹性吉布斯自由能的修正,导出了高电场对介电常数的修正关系,与实验结果相符.提出了介电可调度的概念与计算公式,能够定量表示掺杂对介电可调性的影响.
- 尚勋忠陈威曹万强
- 关键词：弛豫铁电体
- 水热法合成高性能PZT压电陶瓷粉体
- 锆钛酸铅(PZT)是一种电学性能优良且用途广泛的压电功能材料,尤其在准同相界点附近,PZT陶瓷具有较高的压电常数和机电耦合系数,是制备超声换能器、压电变压器、滤波器和压电蜂鸣器等器件的基础材料,在电子材料、机械制造业具有...
- 高小琴常钢尚勋忠周桃生何云斌
- 关键词：压电陶瓷水热法
