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尚勋忠

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇外延层
  • 2篇外延膜
  • 2篇晶体管
  • 2篇缓冲层
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇体质量
  • 1篇迁移率
  • 1篇界面粗糙度
  • 1篇基底
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇盖层

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇尚勋忠
  • 3篇黄绮
  • 3篇周均铭
  • 3篇王文冲
  • 2篇陈弘
  • 2篇贾海强
  • 1篇吴曙东
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇郭丽伟

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GaAs基异质结双极晶体管材料生长和器件特性研究
该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外延设备原理和构造,最后研究了GaAs基AlGaAs/GaAs,InGaP/GaAs,InAl...
尚勋忠
关键词：分子束外延异质结双极晶体管ALGAASINGAPINALAS/INGAAS
文献传递
一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层半导体材料的方法
本发明涉及一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As：Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层...
周均铭陈弘王文冲贾海强尚勋忠黄绮
文献传递
一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法
本发明涉及一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As∶Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层...
周均铭陈弘王文冲贾海强尚勋忠黄绮
文献传递
掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
2004年
研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型
尚勋忠王文冲郭丽伟吴曙东牛萍娟黄绮周均铭
关键词：高电子迁移率晶体管界面粗糙度光致发光
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