张兆祥
- 作品数：69 被引量：142H指数：7
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 一种超高密度存储材料的四极质谱分析
- 目前商品化产品的信息密度约为10bits/cm,信息、时代的到来,它远远不能满足人们的要求,因此人们从事提高信息存储密度的研究和开发。某些有机复合物薄膜材料由于具有电学双稳态特性,因此可以用于扫描隧道显微镜(STM)的超...
- 张兆祥薛增泉赵兴钰侯士敏陈海峰刘忠范刘惟敏
- 文献传递
- 利用UHV-STM观察Si(100)表面
- 1992年
- 利用超高真空扫描隧道显普微镜（UHV-STM）观察请洁Si（100）表面,得到了清洁表面的LEED像和STM像。
- 张兆祥井藤浩志
- 关键词：硅原子结构
- 利用STM观察Si（100）微斜面的表面结构
- 1994年
- 本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构．观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构．
- 张兆祥井藤浩志市川竹男
- 关键词：硅STM半导体
- 用场发射显微镜测量单壁碳纳米管的逸出功
- 2002年
- 该文利用场发射显微镜对单壁碳纳米管的逸出功进行了研究和测量。未进行加热除气的单壁碳纳米管的表面吸附大量气体,此时测量的逸出功不是清洁表面单壁碳纳米管的逸出功。实验首先加热除气得到单壁碳纳米管的场发射清洁像,然后利用场发射显微镜测量I-V曲线,得到Fowler-Nordheim直线斜率;再利用透射电镜观测单壁碳纳米管微束形貌像,测量管束半径,通过三种公式估算比例因子β,最后计算得到单壁碳纳米管的逸出功。
- 张兆祥孙建平侯士敏赵兴钰施祖进顾镇南刘惟敏薛增泉
- 关键词：场发射显微镜单壁碳纳米管逸出功FEM
- 热处理对氧化锌纳米线场发射特性的影响被引量：1
- 2004年
- 用场发射显微镜研究了在钨针尖上生长的氧化锌纳米线的场发射性能 ,得到了氧化锌纳米线的场发射像及场发射电流与电压关系 ,并讨论了氧化锌纳米线场发射像的形成原因和不同热处理条件对其场发射性能的影响 。
- 陈贤祥陈贤祥张琦锋郑文丰张兆祥张耿民赵兴钰陈长琦薛增泉
- 关键词：纳米线场发射场发射显微镜宽带隙半导体
- 安装和使用LZL-203D四极质谱计遇到的几个问题
- 科学研究和生产技术的发展显示出需要了解残气成分及其变化,而四极质谱计具有体积小、重量轻、不需要磁场、操作方便等一系列优点,再加上当代微电子技术的飞速发展,使四极质谱计具有了更广阔的应用领域。北京北分瑞利分析仪器公司生产了...
- 张兆祥陶雄赵兴钰张耿民张函迅
- 文献传递
- 一种新型发射材料La-Mo合金丝的表面特性研究
- 1989年
- La-Mo合金丝是一种新型发射材料,文中叙述使用FEM、SEM、FIM、APFIM法研究其表面特性所得到的结果。
- 张兆祥胡德清焦锦堂
- 关键词：金丝原子探针场离子显微镜钼合金飞行时间质谱计
- 一种超高密度存储材料的四极质谱分析
- 张兆祥薛增泉赵兴钰侯士敏陈海峰刘忠范刘惟敏
- 利用场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射特性被引量：1
- 2001年
- 利用场发射显微镜研究了单壁碳纳米管 (SWCNTs)的场发射特性。由于实验中所用的SWCNTs的长度基本一致 ,因此能同时观察到多根SWCNTs的场发射像。SWCNTs的场发射像随着热处理温度的升高而变化 ,直至热处理温度过高而塌缩。在一定的实验条件下 ,观察到了具有精细结构的单根碳纳米管顶端“帽子”的场发射像。电流 电压 (I U)曲线分析表明 ,SWCNTs的电流来源于场发射。
- 张兆祥侯士敏刘惟敏赵兴钰薛增泉施祖进顾镇南
- 关键词：场发射显微镜单壁碳纳米管场发射特性纳米材料
- 红外波段液晶电调谐滤波器被引量：2
- 1996年
- 将液晶作为内腔物质的电调谐滤波器，测量了在红外波段不同条件下的透射特性，给出了大约１００ｎｍ的可调谐范围和约４０ｎｍ的自由光谱区．
- 张兆祥潘南生奚中和石自光
- 关键词：液晶电调谐滤波器红外波段透射特性
