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三维旅行时场B样条插值射线追踪方法被引量：12: 2013年; 传统的三维射线追踪算法由于受到计算区域网格离散化的限制,会导致追踪结果的射线路径出现不应有的弯折和相邻射线合并现象,进而影响追踪精度。本文根据地震初至波路径垂直于波前面的原理,提出基于B样条插值的旅行时场梯度反向射线追踪方法。该方法通过三次B样条插值得到空间连续的旅行时场,并计算旅行时场梯度;然后从检波点开始,沿着旅行时场梯度的负方向进行追踪,即可得到从震源到检波点的最小旅行时路径。由于通过样条插值能获得连续的旅行时场,故追踪步长不受网格尺寸的限制,从而克服计算区域离散化所带来的问题。应用具体算例对该方法的效果进行了验证,结果表明,该方法在计算精度和效率上都有明显改善。应用于地震初至波层析成像的正演计算时,能够使收敛误差更小。; 张东张婷婷乔友锋杨艳胡英秦前清; 关键词：射线追踪三次B样条初至波地震层析成像

无铅压电KNNST-BKZ/Metglas层状复合材料的制备及其磁电耦合性能: 2016年; 利用固态反应法合成了压电性能优异的KNNST-BKZ无铅压电陶瓷.将该陶瓷与高磁导率材料Metglas复合,制备了L-T模式的KNNST-BKZ/Metglas磁电复合材料.研究结果表明,该材料的磁电耦合系数随偏置直流磁场增加呈现先增加后减小的趋势,最优的偏置直流磁场仅为16.37Oe,为实际应用提供了极大的便利;输出电压随交变磁场大小呈线性变化的趋势;在最优的偏置磁场下,磁电耦合系数显示出很好的频率响应特性,谐振频率下的磁电耦合系数达到7.85V/cm·Oe.本研究表明无铅KNNST-BKZ/Metglas层状复合材料不仅环境友好且具有很高的磁电耦合性能,在磁电传感器及能量转换器等领域具有良好的应用前景.; 张源吴波朱永丹胡诚邱达张婷婷李美亚; 关键词：磁电耦合层状复合材料

电场调控Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结阻变与磁性研究: 2016年; 利用脉冲激光沉积法在0.7%Nb∶SrTiO_3衬底上制备了Co∶ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结器件。该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控。结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控。; 胡诚张婷婷来国红邱达张昌华朱永丹

一种改进的三维旅行时梯度射线追踪方法被引量：7: 2016年; 最大旅行时梯度射线追踪(The Maximum Traveltime Gradient Ray Tracing,MTG)法利用三次B样条插值计算旅行时场的最大旅行时梯度,从而追踪初至波射线路径。但由于三次B样条插值是连续光滑的插值函数,在射线通过速度突变区域时,计算次级源点的旅行时和梯度会产生一定的误差。在分析MTG算法计算误差来源的基础上,提出了一种改进的B样条/线性联合插值的三维射线追踪(The Modified Maximum Traveltime Gradient Ray Tracing,简称MMTG)算法,即在速度均匀变化的区域采用B样条插值计算旅行时梯度确定下一个次级源点,在速度变化剧烈的区域利用线性插值法在网格界面上找出旅行时最小的入射点作为次级源点,从而保证射线在速度分界面上折射产生的不连续性。数值实验结果表明,MMTG算法在保持MTG算法优点的同时进一步提高了射线路径的计算精度,能够适应更复杂的速度介质模型。; 张婷婷邱达张东; 关键词：射线追踪三次B样条

三维层状介质中基于走时梯度的多次波射线追踪被引量：4: 2014年; 本文结合分区多步思想改进初至波走时梯度射线追踪算法(MTG),使之能适用于三维层状介质中多次波射线追踪计算。在计算过程中按照射线类型和速度分界面将三维模型分为不同的计算区域,根据多次波的传播顺序从震源开始在对应的区域内采用网格剖分线性插值法计算波前走时场。然后从检波点开始根据多次波的类型在对应的计算区域内沿走时梯度方向分步追踪多次波射线路径。在计算多次波波前走时场的过程中,为提高计算效率加入了逐次网格剖分技术,使分界面上波前新的震源位置更加精确;在多次波射线追踪的过程中根据走时梯度方向追踪射线路径,在速度分界面区域内采用局部追踪策略求取下一个追踪点以提高多次波的射线精度。本文在多层层状介质模型及扩展到三维的Marmousi模型中进行试验,计算结果表明,改进的MTG算法结合分区多步技术计算多次波时具有常规MTG法计算初至波时的优点,计算精度高、算法简单、计算效率高,验证了MTG算法在复杂的三维模型中计算多次波的有效性。; 张婷婷张东邱达; 关键词：线性插值

磁铁/压电双晶片复合材料磁电耦合性能的优化设计: 2016年; 本文采用弹性力学的方法,基于压电方程,给出了磁铁/压电双晶片(Bimorph)复合材料磁电耦合系数的理论表达式,并选取不同的结构参数和材料参数对其磁电耦合系数进行了数值计算.研究表明:Bimorph存在最佳的压电层厚度,使得磁铁/Bimorph复合材料的磁电耦合系数达到最大;金属层材料和压电相材料也均会影响磁铁/Bimorph复合材料的磁电耦合系数.该研究结果为磁铁/Bimorph复合材料的优化设计、实际应用提供了有益的理论指导.; 张源高雁军胡诚谭兴毅邱达张婷婷朱永丹李美亚; 关键词：复合材料压电双晶片磁铁

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张婷婷