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张建伟

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：北京市自然科学基金广东省战略性新兴产业专项更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性分析
  • 1篇光学
  • 1篇光学器件
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇LED器件

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇吴艳艳
  • 1篇乔彦斌
  • 1篇魏光华
  • 1篇冯士维
  • 1篇张建伟

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电流拥挤效应与LED器件可靠性分析被引量：6
2013年
对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性。最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。
吴艳艳冯士维乔彦斌魏光华张建伟
关键词：光学器件发光二极管可靠性
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共1页<1>
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