您的位置: 专家智库 > >

张永华

作品数:9 被引量:18H指数:3
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家部委预研基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇碳化硅
  • 3篇淀积
  • 3篇碳化硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇衬底
  • 2篇微电子
  • 2篇化学汽相淀积
  • 2篇半导体
  • 1篇异质外延生长
  • 1篇邮件
  • 1篇邮件过滤
  • 1篇邮件过滤系统
  • 1篇智能剥离技术
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇射线衍射
  • 1篇生长速率
  • 1篇碳化硅半导体
  • 1篇气相淀积
  • 1篇汽相外延
  • 1篇注氧隔离

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇张永华
  • 7篇彭军
  • 4篇朱作云
  • 4篇王剑屏
  • 4篇郝跃
  • 2篇宋国乡
  • 1篇黄云霞

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2012
  • 6篇2002
  • 2篇2001
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究被引量:2
2002年
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。
王剑屏郝跃彭军朱作云张永华宋国乡
关键词:反应机理化学汽相淀积汽相外延
蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析
在蓝宝石衬底上预淀积一层缓冲层,在其上用APCVD法外延生长SiC薄膜。对生长的薄膜进行了四晶衍射分析和PL谱分析,结果表明以蓝宝石C面上AIN为复合衬底生长的薄膜为6H-SiC,其带隙约为3.0eV。
张永华彭军
关键词:碳化硅复合衬底X射线衍射光致发光
文献传递
发展中的SiCOI技术被引量:1
2002年
Si COI技术是 Si C材料与 SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术 ,它的产生与发展不仅推动 Si C半导体技术的发展 ,还将弥补 Si SOI技术应用的局限性 ,并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用和发展。文章介绍了近年来 Si
张永华彭军
关键词:注氧隔离晶片键合微电子技术碳化硅半导体
SiCOI制造技术
2001年
Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si
张永华彭军黄云霞
关键词:SICOI智能剥离技术微电子材料
碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析
SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表,是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料,又被称为极端电子学材料,在微电子学领域具有广阔的应用前景.该论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料形成复合衬底...
张永华
关键词:半导体器件化学气相淀积扫描电镜碳化硅
文献传递
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究被引量:4
2002年
讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义 ,同时在表面发现直径为 1~ 10 μm的六角形缺陷 .对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析 ,并对缺陷产生的机理进行了探讨 ,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源 .
王剑屏郝跃彭军朱作云张永华
关键词:碳化硅衬底
蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究被引量:8
2002年
报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层 ,在C(0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 ,经过四晶衍射分析 ,分别在 35 4 9°和 75 0 2°发现了 6H SiC(0 0 0 6 )面和 (0 0 0 12 )晶面族的对称衍射峰 ,显示SiC薄膜的晶体取向与(0 0 0 1)面的衬底是相同的 .扫描电子显微镜 (SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑 ,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵向剖面的元素结构进行了分析 。
王剑屏郝跃彭军朱作云张永华
关键词:蓝宝石衬底异质外延生长碳化硅薄膜化学汽相淀积
APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究被引量:3
2002年
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。
王剑屏郝跃宋国乡彭军朱作云张永华
关键词:APCVD碳化硅薄膜生长速率
基于VSTO的垃圾邮件过滤系统的设计与实现
垃圾邮件过滤是当前互联网应用中急需解决的一个重要课题,日益受到人们的关注。一般而言,垃圾邮件是指同一个发件人在同一时间将同一电子邮件寄往许许多多不同的用户,它的内容主要包括广告和一些政治宣传信件。如果经常收到这样的电子邮...
张永华
关键词:垃圾邮件过滤系统网络架构文本分类
文献传递
共1页<1>
聚类工具0