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张静

作品数:6 被引量:1H指数:1
供职机构:北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇纳米硅
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电极
  • 1篇烧结温度
  • 1篇射频功率
  • 1篇数据处理
  • 1篇唯一性
  • 1篇铝掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇均匀沉淀法
  • 1篇化学气相

机构

  • 6篇北京航空航天...

作者

  • 6篇张维佳
  • 6篇张静
  • 5篇沈燕龙
  • 5篇赵而敬
  • 3篇杨东杰
  • 3篇林军
  • 2篇吴倞
  • 2篇郭卫
  • 1篇亚克
  • 1篇马登浩
  • 1篇马强

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇2009全国...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2010
  • 2篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
掺Bnc-Si:H薄膜的制备及其光电性能的研究
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅薄膜晶化,随着掺B量的增加又使薄膜变为非晶态;射...
吴倞张维佳郭卫沈燕龙赵而敬张静
关键词:电导率太阳电池
文献传递
掺Bnc-Si:H薄膜的制备及其光电性能的研究
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅薄膜晶化,随着掺B量的增加又使薄膜变为非晶态;射...
吴倞张维佳郭卫沈燕龙赵而敬张静
关键词:薄膜生长薄膜太阳电池等离子体化学气相沉积射频功率光电性能
文献传递
纳米硅薄膜太阳电池工艺参数的优化与制备
利用射频为13.56MHz的等离子体化学气相沉积(PECVD)设备,通过对电池的本征和N型纳米硅薄膜的制备工艺以及电池背电极的烧结工艺参数优化,制备出结构为Al栅极/ITO/N-nc-Si:H/I/P-c-Si/Al背电...
赵而敬张维佳沈燕龙张静林军杨东杰Havugimana Jean Jacques
关键词:纳米硅薄膜太阳电池背电极工艺参数
文献传递
铝掺杂对铜铟铝硒粉末微结构及光吸收影响的研究被引量:1
2017年
铜铟铝硒(Cu(In_(1–x)Al_x)Se_2,CIAS)因其成本比铜铟镓硒低而成为目前备受关注的一种太阳电池材料。本文采用溶剂热法制备出含有不同铝掺入量的CIAS四元化合物粉末。利用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光光吸收谱系统研究铝掺入对铜铟铝硒化合物的微观结构及光吸收的影响。研究表明铝掺杂对铜铟铝硒的微观结构有着显著影响,适当的铝掺入有利于铜铟铝硒晶体生长,当铝掺入比例x为0.4时,晶体在(112)晶面择优生长最为明显,并且随铝掺入量的增加可导致其禁带宽度增加,这有利于太阳电池优化设计。
张静张维佳马登浩马强蒋昭毅
关键词:光吸收
氢化纳米硅薄膜的椭偏表征
使用等离子体化学气相沉积的方法成功制备了厚度在30nm量级的超薄氢化纳米硅薄膜,采用单角度激光椭偏仪和光度法结合的方法测量,利用模拟退火算法和单纯形法处理椭偏数据,对其厚度和光学性质进行表征,比较了该方法与使用单一椭偏仪...
沈燕龙张维佳赵而敬张静杨东杰林军亚克
文献传递
掺铝氧化锌粉末及其陶瓷靶的制备与性能分析
以硝酸、高纯锌、硝酸铝、尿素为原料,采用均匀沉淀法制备掺铝氧化锌(AZO)粉末,借助769YP-24B型压片机预制AZO陶瓷靶坯体,经常压高温烧结成高致密度、高导电性的AZO陶瓷靶。运用XRD、SEM、电阻率仪等测试手段...
张静张维佳赵而敬沈燕龙杨东杰林军Havugimana Jean Jacques
关键词:AZO粉末靶材烧结温度均匀沉淀法
文献传递
共1页<1>
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