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後藤孝

作品数:18 被引量:114H指数:7
供职机构:日本东北大学金属材料研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 8篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇SB
  • 5篇气相沉积
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇粉体
  • 4篇X
  • 3篇等离子
  • 3篇陶瓷
  • 3篇热电材料
  • 3篇放电等离子
  • 3篇12
  • 3篇BA
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 2篇陶瓷粉
  • 2篇陶瓷粉体
  • 2篇热导率
  • 2篇热电性能
  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石复合材...

机构

  • 13篇日本东北大学
  • 11篇武汉理工大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇武汉工业大学
  • 2篇河海大学
  • 1篇吉林工学院
  • 1篇中国地质大学...

作者

  • 18篇後藤孝
  • 7篇唐新峰
  • 7篇袁润章
  • 7篇涂溶
  • 7篇平井敏雄
  • 6篇陈立东
  • 4篇张联盟
  • 3篇章嵩
  • 2篇周建
  • 2篇陈立东
  • 2篇张建峰
  • 2篇贺振华
  • 1篇张清杰
  • 1篇郭成言
  • 1篇王传彬
  • 1篇沈强
  • 1篇罗派峰
  • 1篇公衍生
  • 1篇朱佩佩
  • 1篇王军

传媒

  • 7篇物理学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇金属学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇河南科学
  • 1篇现代技术陶瓷

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 4篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1992
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种TiN-Ni复合陶瓷的制备方法
本发明公开了一种TiN-Ni复合陶瓷的制备方法,首先以TiN粉末、二茂镍作为原料,采用旋转化学气相沉积法制备得到TiN-Ni复合陶瓷粉末;再采用放电等离子烧结法将所述TiN-Ni复合陶瓷粉末烧结成TiN-Ni复合陶瓷。本...
涂溶朱佩佩章嵩後藤孝张联盟
文献传递
n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能被引量:41
2002年
系统地研究了Ba填充分数及Ni含量对n型BayNixCo4 -xSb1 2 (x =0— 0 .1,y =0— 0 .4 )化合物热性能及电性能的影响规律 .n型BayNixCo4 -xSb1 2 的热导率随Ba填充分数的增加而显著下降 ,当Ba填充分数为 0 .3时 ,热导率随Ni含量的增加而降低 ,在x =0 .0 5时 ,热导率达到最小值 ,晶格热导率随Ni含量的增加单调降低 .电子浓度和电导率随Ba填充分数及Ni含量的增加而增加 ,塞贝克系数则随Ba填充分数及Ni含量的增加而减小 .对于Ba0 .3Ni0 .0 5Co3.95Sb1 2 试样 ,得到了 1.2最大无量纲热电性能指数ZT .
唐新峰陈立东後藤孝平井敏雄袁润章
关键词:热电性能热电材料热性能
采用放电等离子烧结制备超高硬度金刚石复合材料的方法
本发明涉及一种金刚石复合材料的制备方法。采用放电等离子烧结制备超高硬度金刚石复合材料的方法,其特征是它包括如下步骤:(1)粉体表面修饰;在金刚石粉体表面沉积包覆0.1~50纳米厚度的碳化硅薄膜;(2)干燥;(3)加入烧结...
贺振华周建後藤孝
文献传递
Ce填充分数对p型Ce_yFe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)化合物热电传输特性的影响被引量:14
2000年
研究了Ce填充分数对富Co组成的填充式skutterudite化合物 :CeyFe1.5Co2 .5Sb12 ( y =0— 0 46 )的热电传输特性的影响 .CeyFe1.5Co2 .5Sb12 有现为p型传导 .霍尔系数RH 随Ce填充分数的增加而增加 ,空穴浓度p和电导率σ随Ce填充分数的增加而减少 .泽贝克系数α随Ce填充分数的增加及温度的上升而增加 ,泽贝克系数的峰值温度随Ce填充量的增加向低温方向偏移 .当Ce填充分数大约为 0 3时晶格热导率κl 达到最小值 ,表明在skutterudite结构中 ,Sb组成的 2 0面空洞的一部分被Ce原子填充时 ,Ce的扰动对声子的散射作用最强 .在 75 0K时 ,富Co组成的Ce0 2 8Fe1.52 Co2 .4 8Sb12 化合物的最大无量纲热电性能指数ZTmax达 1 1.
唐新峰陈立东後藤孝平井敏雄袁润章
关键词:
脉冲激光沉积b轴取向BaTi2O5薄膜的研究被引量:3
2008年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi_2O_5薄膜,研究了基片温度(T_(sub))、氧分压(Po_2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明:BaTi_2O_5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)或(020)取向生长,最佳的PLD沉积条件为T_(sub)=700℃和Po_2=12.5Pa.在该条件下,BaTi_2O_5薄膜表现出明显的b轴取向,薄膜表面平整光滑,结晶良好,晶粒呈棒状交叉分布,结合紧密.
王传彬涂溶後藤孝沈强张联盟
关键词:基片温度氧分压
填充式skutterudite化合物:Ba_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)的多步固相反应合成及结构被引量:21
2000年
以Ba为填充原子 ,在x =0— 3 0 ,y=0— 0 7的组成范围内 ,用多步固相反应法合成了单相BayFexCo4 -xSb12 化合物 .用Rietveld方法对结构的精确化结果表明 :合成的BayFexCo4 -xSb12 化合物具有填充式skutterudite结构 ,Ba的热振动参数 (B)比Sb,Fe/Co的大 ,表明在BayFexCo4 -xSb12 化合物中Ba具有扰动效果 .晶格常量随Ba填充分数及Fe含量的增大而增大 .在BayFexCo4 -xSb12 化合物的Sb的 2 0面体空洞中 ,Ba的最大填充分数随Fe含量的增大而增大 ,并明显地大于Ce的填充分数 .当Fe含量从 0增大到 4 0时 ,Ba的最大填充分数从 0 35增大到 1
唐新峰陈立东後藤孝平井敏雄袁润章
关键词:固相反应热电转换材料
激光化学气相沉积装置
本发明公开了一种激光化学气相沉积装置,包括沉积腔以及设于沉积腔内的基板座,基板座上设有基板,基板座上方设有喷头,喷头通过管道分别输入载流气和原料气,沉积腔下部设有泵,所述的沉积腔上部设有第一光学窗口,第一光学窗口外设有用...
涂溶後藤孝章嵩张联盟
文献传递
R_yM_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的晶格热导率被引量:19
2004年
系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce ,Y作为填充原子及Fe ,Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCo4 -xSb1 2 晶格热导率的影响规律 .结果表明 :在skutterudite结构的Sb组成的 2 0面体空洞中 ,Ba ,Ce,Y的填充原子能显著降低其晶格热导率 ,且晶格热导率降低幅度按Ba ,Ce ,Y离子半径减小的顺序而增大 .Sb组成的 2 0面体空洞部分被Ba ,Ce填充时 ,晶格热导率最小 ,填充原子的扰动对声子的散射作用最强 .在Co位置上Fe和Ni的置换 ,能显著地降低RyMxCo4 -xSb1 2 化合物的晶格热导率 ,与Fe相比 ,Ni对晶格热导率的影响更强 .
唐新峰陈立东王军罗派峰张清杰後藤孝平井敏雄袁润章
关键词:晶格热导率铈离子钇离子
二氧化硅包覆活性氧化铝粉体的制备及高温相变行为研究
2021年
γ-Al_(2)O_(3)具备高分散度、高比表面积和良好的吸附性,是催化剂领域应用最广泛的载体之一,但其高温相变引发性能大幅降低的问题成为推广应用的制约因素.采用新型旋转化学气相沉积(RCVD)技术,以正硅酸乙酯(Si(OC_(2)H_(5))_(4),TEOS)为原料,用氧气加速热分解的方式实现了非晶SiO_(2)纳米层在γ-Al_(2)O_(3)粉体表面厚度可控的均匀包覆,具有工艺简单、应用方便等优点.研究了不同温度煅烧条件下对SiO_(2)包覆层的形貌和厚度的影响,结合微观形貌、相成分以及傅立叶红外光谱分析等测试结果,阐明了SiO_(2)纳米层在γ-Al_(2)O_(3)粉体表面包覆行为.结果表明,通过控制TEOS的流量,在γ-Al_(2)O_(3)表面均匀包覆了厚度在3~24 nm的非晶SiO_(2)纳米层,并将γ-Al_(2)O_(3)晶格重构转变温度从1200℃提升至1400℃.处于悬浮状态的γ-Al_(2)O_(3)基体和SiO_(2)包覆物之间通过化学反应产生的牢固化学键形成均匀致密的包覆层,而SiO_(2)包覆层能够阻滞Al-O键的移动使包覆后的γ-Al_(2)O_(3)开始相变温度提升了200℃.机理分析表明,由于在γ-Al_(2)O_(3)表面包覆的非晶SiO_(2)能够对过渡态氧化铝表面阳离子空位进行有效填充,抑制了离子扩散,从而提高了γ-Al_(2)O_(3)的稳定性.
蒋豪丽刘瑞婷张建峰韩晓莉後藤孝
关键词:高温稳定性
激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究被引量:5
2010年
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率(PL)、衬底预热温度(Tpre)和沉积总压力(Ptot)对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm2),显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜.
公衍生涂溶後藤孝
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