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方波射频电压幅值对微型高场非对称波形离子迁移谱传感器芯片性能的影响被引量：9: 2010年; 基于微机电系统技术(Micro electro mechanical system,MEMS),研制了微型高场非对称波形离子迁移谱(High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS)传感器芯片。芯片采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和两次硅-玻璃键合工艺加工,尺寸为18.8mm×12.4mm×1.2mm,其中迁移区尺寸为10mm×5mm×0.2mm。设计了高场非对称方波电源,可输出最大频率2MHz,电压峰-峰值1000V,占空比20%～50%连续可调的方波射频电压。以乙醇为实验样品,分析了方波射频电压幅值对FAIMS传感器芯片性能的影响。实验表明,随着电压幅值的增加,FAIMS分辨率提高,灵敏度下降,补偿电压绝对值增大,且芯片对乙醇的检出限可达8.9mg/m3。; 李华唐飞王晓浩张亮杨吉王帆徐初隆吝涛丁力; 关键词：微机电系统

具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪: 具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元，在迁移区内平行放置上基片和下基片，在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿...; 唐飞王晓浩徐初隆; 文献传递

平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法: 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法，该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元，在迁移区内平行放置上基片和下基片，在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补...; 唐飞徐初隆王晓浩; 文献传递

平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪的离子聚焦方法: 平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪的离子聚焦方法，属于生化物质现场分析检测领域。该迁移谱仪的迁移区以上基片和下基片形成气路通道，在上基片和下基片上分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，在上迁移区电极加上高场非对称波形射频电...; 唐飞王晓浩徐初隆

具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪: 具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元，在迁移区内平行放置上基片和下基片，在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿...; 唐飞王晓浩徐初隆; 文献传递

平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法: 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法，该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元，在迁移区内平行放置上基片和下基片，在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补...; 唐飞徐初隆王晓浩; 文献传递

平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪的离子聚焦方法: 平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪的离子聚焦方法，属于生化物质现场分析检测领域。该迁移谱仪的迁移区以上基片和下基片形成气路通道，在上基片和下基片上分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，在上迁移区电极加上高场非对称波形射频电...; 唐飞王晓浩徐初隆; 文献传递

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徐初隆