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戴守愚

作品数:54 被引量:54H指数:4
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 14篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 22篇钛酸
  • 20篇电子学
  • 12篇热释电
  • 12篇钛酸锶
  • 11篇钛酸钡
  • 10篇金属性
  • 10篇P-N结
  • 8篇光探测
  • 8篇磁电
  • 8篇磁电阻
  • 7篇电子器件
  • 7篇钙钛矿结构
  • 6篇导电性
  • 6篇氧化物
  • 6篇三极管
  • 6篇铁电
  • 6篇晶体管
  • 6篇晶体管技术
  • 6篇半导体
  • 5篇砷化镓

机构

  • 53篇中国科学院
  • 1篇湖南大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 53篇戴守愚
  • 49篇陈正豪
  • 47篇周岳亮
  • 45篇吕惠宾
  • 41篇杨国桢
  • 26篇陈凡
  • 20篇赵彤
  • 16篇何萌
  • 9篇谈国太
  • 9篇颜雷
  • 8篇王焕华
  • 6篇崔大复
  • 5篇黄延红
  • 5篇程波林
  • 5篇王淑芳
  • 5篇金奎娟
  • 4篇郭海中
  • 4篇刘立峰
  • 4篇段苹
  • 2篇朱亚彬

传媒

  • 4篇科学通报
  • 4篇物理学报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇第八届全国超...
  • 1篇第六届全国超...
  • 1篇第七届全国超...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第五届全国分...
  • 1篇第四届全国光...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 11篇2004
  • 10篇2003
  • 8篇2002
  • 9篇2001
  • 2篇2000
  • 4篇1999
  • 1篇1994
  • 1篇1991
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钛酸钡晶体管
本发明涉及电子学晶体管技术领域。本发明将掺杂的n型和p型钛酸钡薄膜材料进行叠层外延在一起,形成p-n结、p-n-p结、n-p-n结或多结结构,构成钛酸钡二极管、三极管、多基极三极管或多发射极三极管。本发明提供的钛酸钡晶体...
吕惠宾戴守愚陈凡赵彤周岳亮陈正豪王焕华何萌杨国桢
文献传递
钙钛矿结构La<,0.9>Sb<,0.1>MnO<,3>的巨磁电阻性质
一种新的钙钛矿结构的巨磁阻氧化物La<,0.9>Sb<,0.1>MnO<,3>已用固态反应方法制成,通过SQUID装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.XPS分析证明该氧化物中Sb的价态是+5价,因此该氧化物是一种新的电...
段苹谈国太戴守愚陈正豪周岳亮吕惠宾
关键词:钙钛矿结构巨磁电阻电输运性质
文献传递
半导体和锰酸镧p-n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明将p型锰酸镧La<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>薄膜材料(其中A是Ca或Sr或Ba或Pb或Sn)或n型锰酸镧L...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
文献传递
脉冲激光沉积MgB2超导薄膜
本文报道了利用两步法成功地在AL<,2>O<,3>衬底上制备出MgB<,2>超导薄膜;首先利用脉冲激光沉积技术沉积B膜,然后在Mg蒸汽环境下对B膜进行高温退火处理,得到了超导转变温度T.约为3pk的MgB<,2>超导薄膜...
王淑芳戴守愚周岳亮陈正豪崔大复许佳迪何萌吕惠宾杨国桢
关键词:超导薄膜脉冲激光沉积
文献传递
半导体和钛酸锶p-n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结,其特征在于:n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓;n型钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<S...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
文献传递
钛酸锶晶体管
本发明涉及电子学晶体管技术领域。本发明将掺杂的n型和p型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起,形成p-n结,p-n-p结,n-p-n结和多结结构,构成钛酸锶晶体二极管,三极管,多基极三极管和多发射极三极管。本发明提供的钛酸锶...
吕惠宾戴守愚陈凡赵彤陈正豪周岳亮王焕华何萌杨国桢
文献传递
掺锰钛酸锶材料及制备方法
本发明涉及材料领域。用Mn替代SrTiO<Sub>3</Sub>中一部分Ti以提供一种P型钛酸锶(SrMn<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<Sub>3</Sub>)块材和薄膜及制备方法。其中Sr...
戴守愚吕惠宾赵彤陈凡周岳亮陈正豪杨国桢
文献传递
一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件
本发明涉及一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件,包括:外壳、光响应层为生长在衬底上的R<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>组成的掺杂锰酸盐薄膜,其厚度为0.5nm~2...
赵昆吕惠宾黄延红何萌金奎娟陈正豪周岳亮程波林戴守愚杨国桢
文献传递
巨磁电阻材料La_(0.9)Sr_(0.1)MnO_3与半导体Si组成的二极管的整流特性被引量:10
2005年
掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正负依赖于温度 .磁电阻的大小可通过加在p- n结上的电压调节 .
刘丽峰吕惠宾戴守愚陈正豪
关键词:巨磁电阻材料
掺锰钛酸钡薄膜材料及其制备方法
本发明涉及材料领域。用Mn替代BaTiO<Sub>3</Sub>中部分Ti以提供一种掺锰P型钛酸钡(BaMn<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<Sub>3</Sub>)块材和薄膜及制备方法。其中B...
吕惠宾戴守愚陈凡赵彤陈正豪周岳亮杨国桢
文献传递
共6页<123456>
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