曹立礼
- 作品数：82 被引量：394H指数：10
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- 相关领域：理学一般工业技术化学工程机械工程更多>>
- 两种含硫添加剂与金属铁表面硫化反应速度的研究
- 1991年
- 本文对两种含硫添加剂ZDDP 和M_oDTP 在不同载荷下与铁表面的硫化反应速度进行了比较。实验表明,2%ZDDP 的硫化反应速度,比相同条件下2%M_oDTP 的慢得多,并且载荷越大,其差距也越大;M_oDTP 的硫化反应速度随着载荷的增加可以比ZDDP 更有效地增加,因此它比后者具有更好的承载能力。
- 孙扬名胡丽娟曹立礼燕银发
- 关键词：硫化反应
- 俄歇电子能谱研究固体材料的化学状态
- 朱永法姚文清叶小燕曹立礼
- 关键词：俄歇电子能谱
- 文献传递
- 用四氯化钛醇解法制备二氧化钛纳米粉体的方法
- 本发明涉及一种用四氯化钛醇解法制备二氧化钛纳米粉体的方法,该方法首先制备四氯化钛乙醇溶胶,将四氯化钛溶液滴加到醇溶液中,存放30—50小时,然后把溶液放在饱和水蒸气中,存放30—50小时,最后蒸发回收醇溶剂,直到形成干凝...
- 朱永法张利姚文清曹立礼
- 文献传递
- PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究被引量：1
- 1996年
- 运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT／Si界面氧化反应的机理和动力学过程。研究结果表明，在PZT／Si样品的热处理过程中，环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PZT／Si界面，并与硅基底反应形成SiO2界面层。界面氧化反应由氧在PZT层和SiO2层中的扩散过程所控制。
- 朱永法曹立礼阎培渝李龙土张孝文
- 关键词：锆钛酸铅
- 氮化硅薄膜材料的表面结构和热稳定性研究被引量：4
- 1995年
- 研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高，PRSD法制备的薄膜次之，而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N－H键存在，仅有少量的Si－H键存在，薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N－H和Si－H键，虽然膜层的热稳定性很好，但由于膜层具有较多的缺陷，因此其抗氧化性较差，抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜，由于其形成温度较低，膜层中含有大量的N－H和Si－H键，因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外，还发现XPS获得的N／Si原子比和膜层的真实成分校一致，而RBS和AES由于离子束损伤效应，其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。
- 朱永法曹立礼
- 关键词：氮化硅热稳定性
- ZM-Cr合金摩擦磨损特性研究
- 本文研究冲击载荷作用下ZM—Cr合金摩擦磨损特性。用扫描俄歇微探针（SAM） 及X射线光电子谱（XPS）分析研究摩擦表面反应膜的化学结构,揭示了摩擦过程中存在界面氧化还原反应。结果表明,较强的抗氧化能力是ZM—Cr合金耐...
- 陆懋荣朱巍曹立礼严忠惠
- 文献传递
- 用扫描俄歇微探针研究Au-Ag/Si体系异质界面电迁移
- 1997年
- 应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针（SAM）技术，研究了AU－Ag／Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁St表面上的Au／Ag／Si和Ag／Au／Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Au，Ag分别向着外加电场的正极和负极方向快速迁移扩展，总的迁移速率对Au／Ag／Si约为0．63μm／s而对Ag／An／Si为0．37μm／s。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响An，Ag各自原有的电迁移方向，但影响其迁移扩散机制。并对上述现象及其相应的微观机制进行了初步分析。
- 时方晓姚文清曹立礼
- 关键词：电迁移俄歇分析真空技术半导体器件
- La-Ce-Cu系列催化剂SO_2中毒机理研究被引量：2
- 1998年
- 采用NH_4NO_3共熔法合成La－Ce－Cu系列样品，并通过XRD分析了样品的相组成。XRF证明了系列样品组成均为氧缺陷型化合物．用TEM研究了样品的表面结构，发现随着SO_2中毒的加深，Cu向表面偏析与S结合生成新的化合物，导致了原晶体结构的变形，同时证明纯CeO_2不发生S中毒．XPS研究表明：样品La_(.029)Ce_(0.57)Cu_(0.14)O_x中毒后Cu从La_2CuO_4中分解出来并与S结合生成CuSO_4；相应的CeO_2参与了中毒反应，生成Ce_2O_3。
- 嵇世山翁端谭瑞琴张志强曹立礼
- 关键词：催化剂中毒镧铈二氧化硫中毒
- Ｓｉ3Ｎ4陶瓷摩擦化学特性实验研究
- 曹立礼张先汉
- 关键词：氮化硅陶瓷润滑摩擦副
- 聚四氟乙烯薄膜等离子体表面改性的研究被引量：18
- 1997年
- 利用等离子体表面处理和化学接枝的方法对聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）薄膜表面进行了化学改性。利用ＸＰＳ研究了改性后的ＰＴＦＥ薄膜的表面结构和价键状态，并通过接触角的测定研究了表面改性对薄膜亲水性的影响。研究结果发现ＰＴＦＥ薄膜经等离子体处理后，薄膜表面的Ｃ－Ｆ键发生了断裂，形成了Ｃ－Ｃ键、Ｃ－Ｈ键及Ｃ－Ｏ键；等离子体处理后的薄膜再经丙烯酸化学处理，强亲水性的丙烯酸基被接枝到ＰＴＦＥ表面。
- 姚文清朱永法曹立礼张昕辉
- 关键词：PTFEXPS表面改性等离子体改性
