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曹立礼: 作品数：81 被引量：394H指数：10; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金清华大学基础研究基金资助更多>>; 相关领域：理学一般工业技术化学工程机械工程更多>>

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两种含硫添加剂与金属铁表面硫化反应速度的研究: 1991年; 本文对两种含硫添加剂ZDDP 和M_oDTP 在不同载荷下与铁表面的硫化反应速度进行了比较。实验表明,2%ZDDP 的硫化反应速度,比相同条件下2%M_oDTP 的慢得多,并且载荷越大,其差距也越大;M_oDTP 的硫化反应速度随着载荷的增加可以比ZDDP 更有效地增加,因此它比后者具有更好的承载能力。; 孙扬名胡丽娟曹立礼燕银发; 关键词：硫化反应

用四氯化钛醇解法制备二氧化钛纳米粉体的方法: 本发明涉及一种用四氯化钛醇解法制备二氧化钛纳米粉体的方法,该方法首先制备四氯化钛乙醇溶胶,将四氯化钛溶液滴加到醇溶液中,存放30—50小时,然后把溶液放在饱和水蒸气中,存放30—50小时,最后蒸发回收醇溶剂,直到形成干凝...; 朱永法张利姚文清曹立礼; 文献传递

PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究被引量：1: 1996年; 运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT／Si界面氧化反应的机理和动力学过程。研究结果表明，在PZT／Si样品的热处理过程中，环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PZT／Si界面，并与硅基底反应形成SiO2界面层。界面氧化反应由氧在PZT层和SiO2层中的扩散过程所控制。; 朱永法曹立礼阎培渝李龙土张孝文; 关键词：锆钛酸铅

氮化硅薄膜材料的表面结构和热稳定性研究被引量：4: 1995年; 研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高，PRSD法制备的薄膜次之，而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N－H键存在，仅有少量的Si－H键存在，薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N－H和Si－H键，虽然膜层的热稳定性很好，但由于膜层具有较多的缺陷，因此其抗氧化性较差，抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜，由于其形成温度较低，膜层中含有大量的N－H和Si－H键，因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外，还发现XPS获得的N／Si原子比和膜层的真实成分校一致，而RBS和AES由于离子束损伤效应，其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。; 朱永法曹立礼; 关键词：氮化硅热稳定性

ZM-Cr合金摩擦磨损特性研究: 本文研究冲击载荷作用下ZM—Cr合金摩擦磨损特性。用扫描俄歇微探针（SAM）及X射线光电子谱（XPS）分析研究摩擦表面反应膜的化学结构,揭示了摩擦过程中存在界面氧化还原反应。结果表明,较强的抗氧化能力是ZM—Cr合金耐...; 陆懋荣朱巍曹立礼严忠惠; 文献传递

用扫描俄歇微探针研究Au-Ag/Si体系异质界面电迁移: 1997年; 应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针（SAM）技术，研究了AU－Ag／Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁St表面上的Au／Ag／Si和Ag／Au／Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Au，Ag分别向着外加电场的正极和负极方向快速迁移扩展，总的迁移速率对Au／Ag／Si约为0．63μm／s而对Ag／An／Si为0．37μm／s。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响An，Ag各自原有的电迁移方向，但影响其迁移扩散机制。并对上述现象及其相应的微观机制进行了初步分析。; 时方晓姚文清曹立礼; 关键词：电迁移俄歇分析真空技术半导体器件

GaAs(110)解理面的能带弯曲被引量：1: 1999年; 在真空中解理后，用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV，它们的禁带宽度理论值为1．42eV，这说明结果是合理的．根据实验结果，对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因，认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．; 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼; 关键词：动态过程 XPS

Si3N4陶瓷摩擦化学特性实验研究: 本文用SRV高温摩擦实验机和X射线光电子谱研究了Si3N4陶瓷的摩擦特性及界面反应的某些规律,揭示了润滑剂对Si3N4表面摩擦反应的影响,实验表明,水润滑时,Si3N4被氧化成SiO2及硝基化合物,油润滑时,Si3N4被...; 曹立礼张先汉; 文献传递

电子能谱线形分析研究碳物种的化学状态被引量：11: 1999年; 利用XIS的Cls携上峰,X线激发俄歇线形,XPS价带谱以及俄歇电子能谱的CKLL线形研究了几种碳材料的化学状态和电子结构.研究结果表明:XPS的携上效应可以鉴别不同结构的碳材料.XAES的化学位移和线形也可以有效地研究各种不同的碳材料的成键方式.XPS的价带谱也是研究固体表面电子结构的一种有效方法,对碳材料的研究也很有效.AES的CKLL俄歇线形非常适合金属碳化物的鉴别.; 朱永法郑斌姚文清叶小燕曹立礼; 关键词：电子能谱线形分析 XPS AES