您的位置: 专家智库 > >

李亚军

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇离子注入
  • 3篇光谱
  • 2篇纳米
  • 2篇金属
  • 2篇金属纳米
  • 2篇晶片
  • 2篇工艺过程
  • 2篇光热电离光谱
  • 2篇
  • 1篇导体
  • 1篇受主
  • 1篇双光子
  • 1篇双光子吸收
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇结构特性
  • 1篇光子

机构

  • 6篇中国科学院
  • 2篇西南技术物理...
  • 1篇云南大学

作者

  • 6篇李亚军
  • 5篇陆卫
  • 4篇张波
  • 3篇陈效双
  • 3篇李志锋
  • 2篇余丽波
  • 2篇李宁
  • 2篇陈平平
  • 2篇余晨辉
  • 2篇李天信
  • 2篇沈学础
  • 1篇王茺
  • 1篇刘昭麟
  • 1篇叶振华
  • 1篇胡晓宁
  • 1篇崔昊杨

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
双光子吸收的Franz-Keldysh效应被引量:2
2008年
从实验上证实Hg0.695Cd0.305Te光电二极管空间电荷区中存在双光子吸收的Franz-Keldysh效应.利用一个皮秒Nd:YAG激光器抽运的光学参量产生器和差频产生器作为激发光源,测量了入射波长为λ0=7.92μm的脉冲激光所激发的光响应随入射光强的变化关系.脉冲光响应峰值强度随入射光强的增大呈现二次幂函数增强趋势.采用等效RC电路模型将脉冲光伏信号峰值与入射光强相关联,得到空间电荷区中强电场下单光束简并双光子吸收系数.通过对比空间电荷区内外双光子吸收系数得到强场下双光子吸收系数为零场下的2.7倍,出现双光子吸收系数的场致增强效应.这表明不仅带间单光子吸收存在Franz-Keldysh效应,双光子吸收过程同样受到Franz-Keldysh效应的影响.
崔昊杨李志锋李亚军刘昭麟陈效双陆卫叶振华胡晓宁王茺
关键词:碲镉汞双光子吸收
氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法
本发明专利公开了一种氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法,它提供了在氧化锌单晶晶片或薄膜材料中离子注入过渡族金属离子(III B-VIIB族金属),制备完全定向排列(相对于ZnO基体)的金属纳米锌的方法,具体给出了...
陆卫李亚军张波陈平平李天信李志锋李宁陈效双
文献传递
氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法
本发明公开了一种氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法,它提供了在氧化锌单晶晶片或薄膜材料中离子注入过渡族金属离子(III B-VII B族金属),制备完全定向排列(相对于ZnO基体)的金属纳米锌的方法,具体给出了相...
陆卫李亚军张波陈平平李天信李志锋李宁陈效双
文献传递
过渡族元素在ZnO单晶中的结构特性
理论和实验研究都表明,在ZnO基体中掺入过渡族金属(TMs),能形成具有居里温度高于室温的稀磁半导体材料(DMSs),在自旋电子学领域有潜在的应用:ZnO的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,是一种比G...
李亚军
关键词:离子注入自旋电子学稀磁半导体红外光谱
高纯锗中浅受主的光热电离光谱
2008年
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
关键词:高纯锗光热电离光谱
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
2008年
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.
余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
关键词:高纯硅光热电离光谱
共1页<1>
聚类工具0