李建光
- 作品数：77 被引量：75H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 硅基光波导化学传感器研究被引量：2
- 2009年
- 研究了基于硅基集成光波导的马赫-曾德干涉仪(MZI)型化学传感芯片的设计、制备及相关敏感特性的模拟和分析。传感芯片采用硅基二氧化硅光波导材料,利用与传统互补型金属氧化物半导体(CMOS)兼容的工艺技术制作。通过波导的单模设计以及对MZI结构的优化,获得了有效折射率分辨率达到10-7量级的高灵敏度传感芯片。作为化学传感器,把MZI的其中一臂设计成传感臂,并进行适当的表面修饰,可制作出高灵敏度的干涉型光波导化学传感器。最后,对该传感器的折射率分辨率、敏感特性等进行了分析、模拟,同时,对面临的关键问题进行了分析和讨论。
- 吴远大安俊明李建光王玥尹小杰张家顺王红杰胡雄伟
- 关键词：折射率相位差
- 3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法
- 一种3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一阵列波导光栅；步骤2：在阵列波导光栅的输入端的末端加入一3dB耦合波导，该3dB耦合波导与阵列波导光栅中的输入波导构成3dB耦合器...
- 安俊明李建光王红杰吴远大胡雄伟
- 文献传递
- 光学微腔生化传感器
- 一种光学微腔传感器，包括：一第一3dB光分束器和一第二3dB光分束器；一传感微腔，该传感微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口1耦合，该传感微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口1耦合；一参考微腔，该参考微腔的一侧与第一3...
- 张晓光吴远大王玥张家顺安俊明王红杰李建光胡雄伟
- 文献传递
- 偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计(英文)被引量：1
- 2004年
- 以深刻蚀和热氧化工艺为基础 ,提出了一种新的阵列波导光栅 (AWG)制备技术 .这一工艺可使 AWG中的波导侧向留有一硅层 .采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率 .结果表明由于这一侧向硅层的存在 ,使 AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致 。
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
- 关键词：硅基二氧化硅阵列波导光栅双折射
- 一种用于实现光波导器件耦合封装的方法
- 一种用于实现光波导器件耦合封装的方法，包括如下步骤：在二氧化硅衬底上刻蚀一光波导光栅，光波导光栅的输入与输出在同一端，使光波导光栅的输入端与输出端等间距均匀排列；在二氧化硅衬底上光波导光栅的外围刻蚀一分支波导，分支波导的...
- 李健安俊明胡雄伟李建光王红杰
- 文献传递
- 基于绝缘层上硅平坦化阵列波导光栅的单纤三向器(英文)被引量：1
- 2008年
- 设计了基于绝缘层上硅(SOI)平坦化阵列波导光栅单纤三向器.三向器三个波长(1310,1490和1550nm)工作在阵列波导光栅的三个不同的衍射级数,并在阵列波导光栅的输入波导末端引入多模干涉器(MMI),实现了平坦响应的三波长波分复用.模拟结果表明基于这一设计的三向器3dB带宽为6nm,串扰小于-40dB,插损为5dB.制备的三向器经测试输出光场清晰,实现了三向器的功能.
- 安俊明吴远大李健王红杰李建光李俊一胡雄伟
- 关键词：集成光学阵列波导光栅单纤三向器
- 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
- 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化...
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
- 文献传递
- 时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法
- 一种时分波分复用无源光网络终端收发集成芯片的制作方法，包括：取一宽带滤波器；在其后端分别连接有复用器阵列波导光栅输出波导和解复用器阵列波导光栅输入波导；并分别连接有复用第一平板波导区和解复用第一平板波导区连接；在其之后分...
- 安俊明尹小杰张家顺王亮亮李建光吴远大王红杰王玥胡雄伟
- 文献传递
- 一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器
- 本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，...
- 王玥张家顺吴远大安俊明李建光王红杰胡雄伟
- 紫外光直写制作掺铒杂化SiO<Sub>2</Sub>光波导放大器的方法
- 一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO<Sub>2</Sub>光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性SiO<Sub>...
- 王鵫吴远大李建光王红杰安俊明胡雄伟
- 文献传递
