杨吉军
- 作品数：11 被引量：54H指数：4
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 真空气氛中CuMnCr合金在石墨表面的润湿行为被引量：4
- 2005年
- 通过差热分析确定了含Cr量分别为0, 0.25%, 0.5%, 1.0%, 2.0%, 4.0%(摩尔分数)的CuMnCr合金的熔化温度。采用座滴法测量了不同温度下不同Cr含量的 CuMnCr合金在石墨表面的铺展面积和接触角。在真空气氛中Mn的蒸发引起CuMnCr合金在石墨表面的润湿性随温度变化而变化, 不同 Cr含量的 CuMnCr合金在石墨表面的接触角在960℃时最小。不同Cr含量的合金在不同温度下表现出最佳的铺展面积, 随含 Cr量的增加界面反应层的厚度增加。通过X射线衍射分析不含Cr和含Cr的合金界面反应产物分别为Mn7C3 和CrxCy。
- 孟卫如徐可为杨吉军贺林
- 关键词：座滴法润湿性石墨
- 用于单层钎焊金刚石的Cu-Mn系活性钎料
- 通过差热分析确定了CuMnCr合金的融化温度,采用座滴法讨论了不同温度下,不同Cr含量的CuMnCr合金在石墨表面润湿性,在真空气氛中Mn的蒸发引起CuMnCr合金不同于一般合金的润湿性变化规律,对于一定含Cr量的合金在...
- 孟卫如徐可为杨吉军贺林
- 关键词：座滴法单层钎焊金刚石
- 文献传递
- 金刚石孕镶体工具用（Cu<,62>Mn<,38>)<,100-x>Cr<,x>活性合金钎料
- 该论文研究了一种以Cu<,62>Mn<,38>合金为基本成分、再通过Cr合金化的(Cu<,62>Mn<,38>)<,100-x>Cr<,x>(x<4.0)新型低熔点铜基合金,从合金的制备、熔化特性、保护气氛的选择、合金对...
- 杨吉军
- 关键词：金刚石工具活性钎料
- 文献传递
- 薄膜表面动态演化及其与生长行为、微结构的相关性研究
- 杨吉军
- 关键词：膜材料薄膜生长超微结构材料动态性质
- 磁控溅射Cu膜表面形貌演化的多尺度行为被引量：3
- 2007年
- 用原子力显微镜(AFM)观察磁控溅射Cu膜的表面形貌,并基于功率谱密度(PSD)和粗糙度测量方法对薄膜进行了量化表征,研究了薄膜表面演化的动力学标度行为.结果表明:薄膜表面演化具有多尺度特征,在全域和局域呈现两种不同的标度行为.全域的粗糙度指数α_g≈0.83,生长指数β_g≈0.85;而局域的粗糙度指数α_1≈0.88,生长指数β_1≈0.26.这种差异揭示了薄膜生长机制的尺度依赖性.薄膜全域表面演化为异常标度行为,这归因于体扩散导致了晶粒几何形态的急剧变化;而局域表面演化呈现表面扩散控制的生长行为.
- 杨吉军徐可为
- 关键词：CU膜原子力显微镜
- 拉伸法评价钎料/金刚石单晶颗粒的界面结合特性被引量：9
- 2004年
- 钎料/金刚石单晶颗粒界面结合特性的评价及结合强度的测定是金属结合剂金刚石工具研究和应用中的关键性问题。根据这方面研究工作的现状,本文提出一种新的测试方法,即采用单层金刚石颗粒平面紧密排布方式将金刚石单晶颗粒通过钎料与基体钎焊,制备拉伸试样,通过拉伸试验测得钎焊单层金刚石颗粒与基体的结合强度,再结合断口的微观分析对钎料/金刚石单晶颗粒的界面结合特性进行评价。
- 杨吉军孟卫如贺林
- 关键词：钎料金属结合剂金刚石工具拉伸法
- 多晶柱状Cu膜的表面粗化与织构被引量：2
- 2006年
- 用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜,基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征．结果表明, Cu(111)取向晶粒组分多的薄膜的生长指数较大、表面粗化速率较快．对于较低温度下沉积的多晶柱状薄膜,基于其晶粒几何形态和弱化的晶界限制的特点,提出了一种表面粗化机制,认为薄膜的表面粗化主要依赖于其晶粒表面的粗化过程,而薄膜织构决定了薄膜表面粗化速率．
- 杨吉军马飞徐可为
- 关键词：CU膜表面粗化织构
- 金刚石工具真空钎焊钎料的适应性被引量：28
- 2004年
- 应用真空钎焊技术 ,分别采用含有强碳化物形成元素Cr、Ti的BNi2、BNi7及自制的CuSnNiTi钎料试制了单层金刚石圆锯片 ,在一定的钎焊温度、时间及真空度下 ,金刚石与钎料及基体之间均可形成化学冶金结合 ,但结合的状况及锯切性能随钎料的不同而改变。试验证实自制的CuSnNiTi钎料钎焊温度低 ,焊接时金刚石的热损伤小 ,钎料与金刚石有很好的润湿性。不仅基体对金刚石有较高的把持力而且钎料与所切割的石材有很好的适应性。
- 孟卫如徐可为杨吉军南俊马
- 关键词：金刚石工具真空钎焊钎料适应性单层钎焊
- 多晶薄膜表面粗化与生长方式转变被引量：7
- 2007年
- 采用原子力显微镜研究了磁控溅射多晶薄膜表面粗化行为对归一化沉积温度Ts/Tm(Ts是沉积温度,Tm是材料熔点)的依赖性与薄膜生长方式转变行为.随着Ts/Tm增加,薄膜表面粗糙度增加,而表征粗糙度随时间演化特征的生长指数β历经了先减小再增加的过程.β对Ts/Tm的依赖关系反映了薄膜生长方式的转变行为,即薄膜生长依次由随机生长方式向表面扩散驱动生长方式与异常标度行为生长方式转变.在低于体扩散控制薄膜生长的温度时,晶界扩散机理导致多晶薄膜的表面粗化的异常标度行为.
- 杨吉军徐可为
- 关键词：多晶薄膜表面粗化温度
- 生长初期Ta膜的表面动态演化行为被引量：5
- 2007年
- 用磁控溅射方法在单晶Si衬底上沉积膜厚为15—250nm的Ta膜.基于原子力显微镜获得的薄膜表面形貌,用动力学标度理论量化表征薄膜表面动态演化行为.结果表明:当膜厚d<50nm时,薄膜生长指数β≈0.17,而d>50nm后β≈0.45;随着d增加,粗糙度指数α由0.24逐渐增加到0.69,且在d>50nm后趋于稳定.Ta膜的表面动态演化行为揭示了其由小岛聚合结构向连续膜演化的生长过程.与自阴影等非局域效应引起的非稳定行为不同的是,当d<50nm时,薄膜表面动态演化的非稳定行为来源于生长初期的小岛聚合,表面小岛沿膜面切向的生长优于沿法向的生长.随着d继续增加,薄膜以连续膜形式生长,表面动态演化趋于稳定.
- 杨吉军徐可为
- 关键词：表面形貌
