林海容
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：泉州师范学院物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省高校服务海西建设重点项目福建省自然科学基金泉州市优秀人才培养专项经费资助项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究被引量：3
- 2014年
- 采用固相反应法制备了Cu掺杂ZnO样品.在室温下Cu含量>3%的样品在室温下表现为铁磁性.样品为n型半导体,载流子的浓度为1015cm-3.利用密度泛函理论(DFT+U)计算了CuZnO体系的Cu2+—O2-—Cu2+,Cu2+—Vo—Cu2+,Cu2+—Vo+—Cu2+,Cu2+—V++o—Cu2+磁交换耦合作用,给出了不同束缚电荷的氧空穴Vo与Cu2+离子之间的超交换机理,提出了CuZnO体系中铁磁性机理为Cu2+—V++o—Cu2+束缚磁极化子模型.
- 王锋林闻王丽兹葛永明张小婷林海容黄伟伟黄俊钦W.Cao
- 关键词：固相反应铁磁性束缚磁极化子
- 非晶Fe_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能被引量：5
- 2012年
- 采用射频共溅射方法制备了FexZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe0.93Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FexZn1-xO(x20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应(AHE),样品均为n型半导体,载流子浓度约为1019—1020cm3.退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象.薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
- 王锋潘荣萱林海容
- 关键词：磁性半导体
