林海恋
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：五邑大学应用物理与材料学院更多>>
- 发文基金：广东省重大科技专项广东省中国科学院全面战略合作项目广东省战略性新兴产业专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- LED封装用有机硅树脂的研究被引量：1
- 2013年
- 对比LED封装用环氧树脂和有机硅树脂的性质,对比分析目前市场上主要LED封装用有机硅树脂的类型及其研究现状。深入分析了封装企业在使用LED有机硅树脂中存在的问题,并提出研究及使用建议。
- 黄承斌林海恋李冠群刘大伟李钊英王忆
- 关键词：LED封装材料有机硅环氧树脂
- 湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响被引量：3
- 2015年
- 通过传统的陶瓷工艺制备锶铁氧体预烧料,研究了湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响。结果表明,碳酸锶一次湿磨时间对碳酸锶和预烧料粒度影响较大,不同湿磨工艺下预烧料微观结构差异较大,饱和磁化强度随碳酸锶一次湿磨时间的延长先增大后减小。当碳酸锶一次湿磨时间为2.5h时,样品形貌呈六角片状,致密性较好,并且Ms较优,为72.09 A·m2/kg。
- 林海恋王忆温东强李金道吕兆民
- 关键词：锶铁氧体预烧料微观结构饱和磁化强度
- LED芯片漏电原因分析被引量：1
- 2014年
- LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师。从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;钝化层沉积时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;芯片切割裂片时,切割裂片工艺以及芯片成品包装时可能带来的芯片潜在漏电原因。
- 杨冲王忆林海恋
- 关键词：芯片制造工艺漏电原因
- 功率型LED封装技术简述被引量：2
- 2012年
- 从芯片结构、封装工艺、封装结构以及封装材料等方面对功率型LED封装技术作了介绍,并对功率型LED封装技术的发展进行了展望。
- 林海恋李冠群刘大伟李钊英王忆
- 关键词：功率型LED芯片结构封装工艺封装结构
- 等量La-Co掺杂对干压各向异性SrFe_(12)O_(19)结构和磁性能的影响
- 2014年
- 以Y30H-2预烧料作为基料，采用陶瓷法制备La-Co掺杂的干压各向异性Sr1-xLaxFe12-xCoxO19（x=0～0．10）锶铁氧体，研究La3＋Cd2＋共同替代对锶铁氧体结构和磁性能的影响。XRD射线衍射分析表明，La-Co掺杂并没有改变锶铁氧体结构，锶铁氧体主体仍为六角晶结构；SEM分析表明，La-Co掺杂能使晶粒粒度变细；磁性能测量显示，样品的Hi随掺杂量的增加先增大后减小，当取代量x=0．06时，Hcj达到最大值。Br则随掺杂量的增加呈现不规则的变化。K值的变化表明，当x=0．04时，锶铁氧体的综合性能最佳。
- 林海恋温东强王忆李金道吕兆民
- 关键词：锶铁氧体微观结构磁性能
- 垂直结构LEDNi/Sn合金背金层的制备及其性能研究
- 2014年
- 采用真空蒸镀法制备了垂直结构LED Ni/Sn合金背金层,通过扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的物相和微观结构进行了表征,同时还研究了该合金作为LED背金层的光电性能。实验结果表明,在相同的蒸发速率条件下,随着基底温度的升高,沉积的合金颗粒逐渐增大,相应的薄膜的电阻率呈下降趋势。以蒸发速率为2/s、基底温度为100℃作为工艺条件制得背金层薄膜垂直结构LED,其电学性能与贵金属Au作为LED背金层的垂直结构芯片电学性能相当。
- 杨冲王忆林海恋黄承斌
- 关键词：NI
- 山梨糖醇对锶铁氧体结构和磁性能的影响被引量：2
- 2014年
- 在锶铁氧体预烧料中加入山梨糖醇作为分散剂,研究山梨糖醇对锶铁氧体的粒度分布和磁性能的影响。结果表明,随着分散剂的增加,粒度分布逐渐变窄。XRD图显示,山梨糖醇的添加没有改变锶铁氧体的物相结构。SEM图表明,添加山梨糖醇能够有效地改善锶铁氧体的晶体结构。最后指出了山梨糖醇的分散机理是空间位阻稳定作用。
- 林海恋王忆温东强吕兆民杨冲
- 关键词：山梨糖醇粒度分布磁性能
- 高性能M型锶铁氧体磁粉的合成与研究
- 在当今社会发展中,永磁铁氧体材料已经广泛应用于家电领域、汽车领域、通信领域、计算机领域、节能环保产品领域等等,在未来发展中必然有着无与伦比的作用。随着生活质量的不断提高,人们也越来越关注永磁铁氧体材料的发展。 本文主要从...
- 林海恋
- 关键词：锶铁氧体磁性能
- 文献传递
