梁希侠
- 作品数：57 被引量：55H指数：5
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学自然科学总论更多>>
- ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)
- 2001年
- 采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与
- 闫祖威梁希侠
- 关键词：电子-声子相互作用转移矩阵方法硒化锌色散关系
- 三元混晶中的弱耦合磁极化子被引量：2
- 1992年
- 本文研究了三元混晶中弱耦合磁极化子的性质,导出了磁场中三元混晶光学声子与电子的互作用哈密顿量,计算了磁极化子回旋频率、回旋质量和自陷能与混晶组份及磁场的关系,在零磁场(B=0T)下,其结果与裸极化子的情况相同;在组分X=0和X=1时,结果与相应的二元晶体中磁极化子的情形相同.
- 赵国忠梁希侠王旭
- 关键词：三元混晶磁极化子
- 三元混晶板中的电子-声子作用
- 1992年
- 本文发展了三元混晶板中电子-声子作用的量子理论,给出了该系统声子的本征频率以及电子-声子作用的哈密顿算符.这一理论建立在无序位移独立位移(REI)模型和连续模型的基础上.
- 王旭梁希侠
- 关键词：三元混晶
- 有限温度时的二维界面极化子
- 1995年
- 用类Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ中间耦合方法讨论了在有限温度情形极性－极性半导体异质结中界面极化子的性质．在二维近似下，得到了两支界面光学声子模影响下的极化子能量和有效质量的解析表达式．结果表明：极化子效应随温度的升高而减弱，并发现极化子能量较其有效质量对温度更为敏感．数值结果表明温度效应对某些Ⅱ－Ⅵ族半导体异质结是重要的，但对Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结是不重要的．
- 班士良郑瑞生梁希侠
- 关键词：界面极化子有限温度半导体异质结
- 半导体层状材料中电子态和输运问题的理论研究
- 梁希侠班士良闫祖威宫箭赵国军郭子政
- 半导体层状材料的物性研究是国内外半导体物理领域的热点课题之一。此研究无论对新物理现象的探索还是对新型电子、光电子器件的研制均有十分重要的意义。 该项目主要研究半导体异质结构中的电子态、电子垂直界面的输运及光学声子的影响...
- 关键词：
- 关键词：输运电子态
- 耦合自旋链中自旋波界面态的存在条件
- 云国宏梁希侠
- 关键词：自旋波界面态存在性
- 融中华传统文化元素于物理课堂——视频公开课“热含妙理”拾贝被引量：3
- 2013年
- 在物理课堂中引入传统文化元素,对传统文化弘扬、文理文化渗透、学生综合素质提高和创新精神培养,具有积极的意义。本文以中国大学视频公开课"热含妙理"为例,介绍了物理类通识课程中融入中华传统文化的具体做法。
- 梁希侠
- 关键词：视频公开课热物理文理交融
- 静压下Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁被引量：1
- 2002年
- 利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系 考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量 (体积 )等诸多物理量的影响 ,用变分法计算了静压下Zn1 -xCdxSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化
- 郭子政梁希侠班士良
- 关键词：静压介电常量激子光跃迁
- 双模型三元混晶的界面极化子
- 1999年
- 采用ＥＰＭＡ 近似法， 研究了双模型三元混晶界面极化子的性质， 计算了ＺｎＳｘＳｅ１ － ｘ（ＧａＡｓ） 和ＡｌｘＧａ１ － ｘＡｓ（ＧａＳｂ） 材料中界面光声子与电子的耦合随ｘ 的变化． 结果表明， 在强电场作用下， 界面光声子与电子的耦合加强； 体光声子与电子的耦合在ｘ 的某一取值处存在极小值，界面光声子与电子的耦合随ｘ
- 范素芹梁希侠
- 关键词：界面极化子混晶极化子
- Al_xGa_(1-x)Sb三元混晶电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2017年
- 为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混晶Al_xGa_(1-x)Sb(0≤x≤1)的电子结构和光学性质。通过对不同Al组分三元混晶Al_xGa_(1-x)Sb的总能量与形成能的计算比较,获得了稳定结构Al_xGa_(1-x)Sb的晶格常数,同时计算了Al_xGa_(1-x)Sb在不同Al组分的电子结构,讨论了带隙、能带结构和态密度等随Al组分的变化规律。计算结果表明:混晶的带隙随Al组分的增加而增大;能带结构由下、中、上价带和导带4个部分构成,给出了晶格常数、带隙随Al组分变化的拟合公式;计算了Al_xGa_(1-x)Sb材料的复介电函数、高频/静态介电常数和吸收光谱随Al组分的变化情况,发现高频与静态介电常数随Al组分增加而降低,吸收光谱发生蓝移,与实验观测值和其他的理论结果相符。
- 毛青琴赵国军王舒东梁希侠
- 关键词：第一性原理三元混晶光学性质
