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樊志军

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇铟镓氮
  • 1篇温度
  • 1篇光性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光性质
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇MOVPE
  • 1篇变温
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇万寿科
  • 1篇刘祥林
  • 1篇王占国
  • 1篇樊志军

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN光致发光性质与温度的关系被引量：8
2001年
分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .
樊志军刘祥林万寿科王占国
关键词：INGAN变温光致发光性质铟镓氮
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共1页<1>
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