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樊捷

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇刻蚀
  • 4篇氮化镓
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇氮化镓器件
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体加速
  • 2篇等离子体密度
  • 2篇电极
  • 2篇电子器件
  • 2篇钝化层
  • 2篇栅电极
  • 2篇中介
  • 2篇态密度
  • 2篇托盘
  • 2篇外延层
  • 2篇外延片
  • 2篇线性度
  • 2篇模化
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度

机构

  • 9篇中国科学院微...

作者

  • 9篇樊捷
  • 8篇魏珂
  • 8篇刘新宇
  • 4篇黄俊
  • 4篇刘果果
  • 4篇王鑫华
  • 4篇黄森
  • 2篇蒋浩杰
  • 1篇苏永波

年份

  • 3篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种BCB材料的刻蚀方法
本发明提出一种BCB材料的刻蚀方法，包括：a.提供半导体芯片，所述芯片表面覆盖待刻蚀的BCB材料层；b.采用电感耦合等离子体对所述BCB材料进行刻蚀；其中，刻蚀条件为：刻蚀温度为18～22℃；等离子体刻蚀功率为140～1...
樊捷苏永波
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一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法
本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等...
黄俊魏珂刘新宇刘果果樊捷
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一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
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降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法
本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的...
黄俊魏珂刘果果樊捷刘新宇
一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法
本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(A...
王鑫华刘新宇黄森魏珂蒋其梦殷海波樊捷邓可心景冠军
一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法
本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等...
黄俊魏珂刘新宇刘果果樊捷
一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法
本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(A...
王鑫华刘新宇黄森魏珂蒋其梦殷海波樊捷邓可心景冠军
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降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法
本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的...
黄俊魏珂刘果果樊捷刘新宇
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