滕月莉
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华东理工大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 低压ZnO压敏薄膜制备与研究
- 2004年
- 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.
- 陆慧滕月莉殷海波陆元成潘孝仁
- 关键词：压敏电压
- 低压ZnO压敏薄膜制备与研究
- 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.
- 陆慧滕月莉殷海波陆元成潘孝仁
- 关键词：压敏电压
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- 低压ZnO压敏薄膜制备与研究
- 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.
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- 关键词：压敏电压
- 低压ZnO压敏薄膜制备与研究
- 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向。经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I,特性,漏电流小,压敏电压低。温度对薄膜的V-I,特性影响较大。文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机...
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- 关键词：压敏电压
- 文献传递
- 有机染料对SnO2、ZnO超微粒薄膜的光电转换性能的影响
- 采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法分别制备了半导体特征型的 SnO和 ZnO 超微粒薄膜。以罗丹明 B(RhB),罗丹明 B 衍生物(TR-5),芘 B 及叶绿素铜钠有机染料为光敏化剂制作光电化学电池。比较了这些光电池单...
- 滕月莉陆慧陆元成潘孝仁
- 关键词：氧化锡敏化光电化学电池
- 文献传递
- 染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能被引量：3
- 1999年
- 采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，成功制备了ＺｎＯ超微薄膜。通过ＳＥＭ、紫外吸收光谱对ＺｎＯ超微薄膜性质进行了分析。采用罗丹明－Ｂ、叶绿素铜钠盐等染料对ＺｎＯ超微薄膜进行敏化，制作了光电化学电池。对敏化剂的特性进行了研究，实验证明罗丹明－Ｂ是很好的敏化剂。获得单位面积的最大开路电压为２２６ｍ Ｖ，最大短路电流为２２μＡ。
- 贾正东滕月莉潘孝仁
- 关键词：氧化锌敏化染料光电性能
- ZnO超微粒薄膜光电性能及其复阻抗谱研究
- 本文采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备ZnO超微粒薄膜.分别用TR-5和RH-B染料对ZnOUPF进行敏化制作光电极,对其光电性能进行比较.并测量了薄膜在不同温度下的复阻抗谱,从而验证了超微粒薄膜内部模拟的等效电路.
- 滕月莉刘关松贾正东潘孝仁
- 关键词：氧化锌染料敏化光电性能
- 低压ZnO压敏薄膜制备与研究
- 以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.
- 陆慧滕月莉殷海波陆元成潘孝仁
- 关键词：压敏电压
- 文献传递
- 气相合成SnO_2超微粒薄膜研究被引量：4
- 2001年
- 用直流气体放电活化反应蒸发法在玻璃基片上沉积的SnO2 超微粒薄膜 ,研究其过程中各工艺参数对薄膜结构的影响及作用机理。结果表明 ,SnO2 超微粒薄膜粒径随氧分压增加而增大 ;蒸镀时间的延长有助于SnO2 的生成 ,也使薄膜发生晶化 ;而增加放电电压 。
- 陆慧王亮兴贺黎明滕月莉潘孝仁
- 关键词：SNO2气相合成二氧化锡
- ZnO低压压敏薄膜制备与研究
- ZnO低压压敏电阻是一种新型多功能性陶瓷材料,具有非线性系数高,响应时间快,漏电流小,通流容量大等优点,广泛应用于电子设备、电力系统等领域,主要作为半导体器件的过压保护。随着电子产品的微型化、集成化,工作电压愈来愈低,对...
- 陆慧滕月莉陆元成潘孝任
- 文献传递
