潘少辉
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响被引量：4
- 2007年
- 功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。
- 潘少辉何伦文汪礼康张卫
- 关键词：贴片工艺有限元分析法热阻
- 功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究被引量：1
- 2006年
- 用实验和有限元的分析方法研究0．05mm～0．125mm铝线的引脚跟断裂问题。结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线(220℃、240℃、260℃)对铝线的影响,发现在铝线引脚跟处应力和应变最大,而且随着温度的上升,铝线引脚跟处的塑性变形会提高20％,这对铝线的疲劳损伤是很严重的。
- 何伦文潘少辉汪礼康张卫
- 关键词：功率电子铝线无铅化回流焊
- 低压功率MOSFET EOS失效机理的研究
- 半导体技术的不断创新给电力电子产业带来了革命性的发展，在能源日趋紧张的当今社会，高效的功率开关器件成为业界技术发展的引擎。随着半导体器件尺寸的持续减小和集成度的不断提高，CPU等功率消耗器件满载时要求工作电流达120A，...
- 潘少辉
- 关键词：EOS
- 文献传递
- 功率器件封装中铝引线焊点剥离失效机制研究
- 2007年
- 比较回流焊前后两组器件样品的电学测量结果,并结合样品的失效分析,发现引线框架氧化也是导致焊点剥离失效的一个重要因素,而且回流焊工艺下的热机械效应,会加速原先潜在的焊点剥离失效的发生。样品的连接性测试发现,在低峰值交流测试电压下显示开路,而高峰值测试电压下显示正常,可以将其归结为典型的焊点剥离失效的测试现象。发现引线键合前的等离子清洗可以减少焊点剥离失效,并可使焊点的剪切强度提高25%。
- 何伦文章垒潘少辉汪礼康张卫
- 关键词：功率器件封装铝线
