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牛喜平

作品数:11 被引量:8H指数:3
供职机构:天津理工大学材料物理研究所更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇发光
  • 5篇电致发光
  • 5篇纳米
  • 3篇无机
  • 3篇无机功能
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇印刷
  • 2篇印刷工
  • 2篇印刷工艺
  • 2篇无机纳米
  • 2篇量子
  • 2篇量子尺寸效应
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米晶
  • 2篇光谱
  • 2篇发光器件
  • 2篇发光颜色
  • 2篇SIO
  • 2篇SIO2

机构

  • 11篇天津理工大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 11篇牛喜平
  • 10篇徐建萍
  • 10篇张晓松
  • 10篇罗程远
  • 8篇吴燕宇
  • 7篇李萍
  • 6篇李美惠
  • 5篇李岚
  • 5篇李岚
  • 4篇宣荣卫
  • 3篇李开祥
  • 1篇李波
  • 1篇程晓曼
  • 1篇石庆良
  • 1篇葛林
  • 1篇吴金花

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 4篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制(英文)
2012年
用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol(PVP)复合,通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS∶PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态,通过正向电压的作用,器件由OFF态转变为ON态,并且在正向或反向电压的作用下,器件始终保持在ON态,表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比,含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性,其电流开关比达到104,这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试,详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制,并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。
吴燕宇张晓松徐建萍牛喜平罗程远李美惠李萍石庆良李岚
关键词:聚乙烯基吡咯烷酮
发光颜色受电压调控的无机电致发光器件
本发明涉及一种无机电致发光器件,属于电子半导体元器件技术领域。该器件具有堆叠结构,包括包括衬底;在所述衬底上形成第一导电层,其中所述第一导电层是阳极;无机功能层,利用旋涂或印刷工艺淀积在第一导电层上;在所述无机功能层上形...
李岚吴燕宇宣荣卫张晓松徐建萍李萍牛喜平罗程远李美惠
文献传递
前驱物[S^(2-)]/[Pb_(2+)]摩尔比对PbS纳米晶红外发光光谱的影响
2013年
采用水溶性前驱物在乙醇介质中制备了不同[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的PbS纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(Abs)、光致发光谱(PL)对所制备PbS纳米晶的晶体结构、纳米晶粒径、形貌以及能带结构和发光特性进行了表征,结果表明:随着前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的提高,PbS纳米晶颗粒尺寸从3.9 nm增大到5.9 nm,发光峰值位置从1 009 nm移动到1 486 nm。通过拟合[S2-]/[Pb2+]=0.5条件下PbS纳米晶平均粒径对时间变化曲线,发现该方法下PbS纳米晶所经历的生长机制为Ostwald成熟化。运用经典纳米晶扩散控制生长模型,解释了实验中随着[S2-]/[Pb2+]的提高对溶液中纳米晶生长速率的影响。
李开祥张晓松徐建萍牛喜平罗程远李波李岚
关键词:量子尺寸效应
无定形二氧化硅中原位生长ZnO纳米晶及其发光性能
作为宽带隙半导体纳米材料,ZnO具有成本低,制备工艺简单以及可控性生长等优点,在光电器件中具有广阔的应用价值。但是由于纳米材料本身具有分散性差,易于团聚,从而较难控制其发光特性。本文重点讨论了在SiO2形成的网络结构中原...
牛喜平
关键词:纳米材料ZNO纳米晶X射线衍射谱荧光光谱无定形二氧化硅
文献传递
一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法
一种发光颜色可调的半导体发光材料,为掺杂ZnO/纯ZnO核壳结构,以掺杂ZnO为内核,纯ZnO包覆于掺杂ZnO核的表面形成壳层,在纯ZnO壳层中包含有由于自纯化效应自内核扩散至壳层的掺杂离子,掺杂ZnO内核的大小为15n...
徐建萍李美惠李岚张晓松吴燕宇罗程远李萍牛喜平
文献传递
无定型SiO_2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究被引量:3
2012年
利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利用紫外-可见(UV-VIS)吸收光谱、PL光谱以及能级结构分析,我们认为,纳米ZnO随尺度下降所产生的发光增强来源于无定形SiO2所抑制的ZnO表面非辐射跃迁过程以及二者之间的再吸收过程;此外,纳米ZnO尺度的下降,使得其表面的光生电子和晶格内部的O空位(Vo)之间的距离减小,提高了辐射跃迁的几率也是获得高荧光效率的可能原因。
牛喜平徐建萍张晓松程晓曼罗程远李开祥李岚
关键词:纳米ZNO
一种可双向电压驱动无机量子点电致发光器件及制备方法
一种可双向电压驱动无机量子点电致发光器件,包括衬底、阳极层、无机量子点功能层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述无机量子点功能层的构成包括:1)发光层、2)缓冲层和发光层或3)缓冲层、发光层和电子传输层,其中发光层和电子传输...
张晓松罗程远宣荣卫李岚徐建萍吴燕宇李萍牛喜平李美惠
文献传递
ZnO量子点/SiO_2复合器件的可调控电致发光研究被引量:3
2011年
在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点/SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光(EL)随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点/SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通过样品的X射线衍射(XRD)数据分析表明,ZnO量子点尺寸随SiO2浓度增加而减小,证实了量子尺寸效应是蓝移的原因之一。同时,进行多峰高斯拟合还发现,随着SiO2浓度的增加,绿光和橙红光发射峰比例随之增加,进一步证实了量子尺寸效应导致了复合器件的光谱蓝移。
宣荣卫张晓松牛喜平徐建萍吴燕宇罗程远李萍吴金花李岚
关键词:量子尺寸效应
一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件
一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件,包括透明衬底、第一导电层、无机功能层和第二导电层并依次构成叠层结构,其中第一导电层为由金属氧化物制备的透明电极,无机功能层为单层结构并由无机纳米半导体材料制备,第二导电层为功函数...
张晓松吴燕宇李岚徐建萍牛喜平李萍罗程远李美惠宣荣卫
文献传递
基于ZnS/SiO2量子点的EL器件及宽谱发射被引量:3
2012年
将ZnS/SiO2量子点与PVP在甲醇溶液中充分混合作为活性层材料,通过匀胶方法制备了ITO//ZnS/SiO2∶PVP//Al结构的电致发光(EL)薄膜器件。器件的EL光谱由510~560nm波段的绿光发射和相对较弱的蓝紫光(400nm左右)发射组成,通过对发光光谱的分析发现,上述两个区域的发射均来自ZnS的缺陷能级。其中,绿色发光峰来源于较低能态的缺陷能级;而高能区域的蓝色发光则是由于高能态的缺陷能级俘获电子的几率增大,在这过程中,PVP形成的能级阶梯有效增加了高能态缺陷能级俘获电子的几率,提升了高能波段的发光效率,相应地,器件的色坐标也随之从(0.37,0.42)变化到(0.30,0.34),趋于白光发射。
罗程远张晓松徐建萍吴燕宇牛喜平李开祥葛林李岚
共2页<12>
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