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一种电子可编程熔丝电路: 本发明公开提供了一种电子可编程熔丝电路，所述电子可编程熔丝电路中，电路单元只包括熔丝单元和第一薄氧MOS管，每一列电路单元共用一个厚氧MOS管，与现有技术相比，极大的减小了厚氧MOS管的数量，解决了现有技术中每个电路单元...; 张立军汪齐方王子欧王媛媛郑坚斌

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计被引量：2: 2011年; 提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%。; 李少君王子欧王媛媛张立军; 关键词：漏电流低功耗可靠性

An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET: 2003年; A new improved technique,based on the direct current current voltage and charge pumping methods,is proposed for measurements of interface traps density in the channel and the drain region for LDD n MOSFET.This technique can be applied to virgin samples and those subjected to hot carrier stress,and the latter are known to cause the interface damage in the drain region and the channel region.The generation of interface traps density in the channel region and in the drain region can be clearly distinguished by using this technique.; 杨国勇毛凌锋王金延霍宗亮王子欧许铭真谭长华; 关键词：LDD

一种伪器件辅助灵敏放大器电路: 本实用新型公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连...; 张一平王子欧张立军李有忠季爱明

一种阻类存储器预放大灵敏放大电路: 本发明公开了一种阻类存储器预放大灵敏放大电路，通过将第一反相器和第二反相器组成放大器锁存结构，其中，第一传输门的输入端连接到第一位线BL，第一传输门的输出端分别连接到第一反相器的输出端和第二反相器的输入端，第二传输门的输...; 刘金陈张一平王子欧

基于阻类存储器的2bit和4bit华莱士树型乘法器电路: 本发明公开了一种基于阻类存储器的2bit和4bit华莱士树型乘法器电路，其中，2bit华莱士树型乘法器电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和1个第一异或门电路，其中，...; 张文海王子欧巫超

高场应力下超薄栅绝缘层失效机制的研究: 该文研究了超薄栅MOSFET栅氧化层在均匀FN应力和非均匀热电子应力下的退化.新生陷阱的应力相关特性是氧化层退化研究的基础工作,该文作用比例差分的方法提取了陷阱参数,并研究了陷阱参数的应力相关特性.FN应力下,不同厚度的...; 王子欧; 关键词：FN 热电子

基于ZigBee无线Mesh网络的温湿度测量系统被引量：4: 2014年; 为满足工业现场温湿度智能化统一监测管理的需求,基于嵌入式技术和无线传感网技术设计了多点温湿度测量系统。在AT91SAM9263、MSP430F2618和PC构成的硬件平台上,以CC2530为核心组建ZigBee网状(Mesh)网络实现多个无线测量终端与无线基站数据交互,并设计了具备友好人机交互界面的上位机智能温湿度测量管理系统软件。经实际测试,温湿度测量准确,系统运行稳定可靠,用户操作方便,提高了工业现场测量效率。; 黄旭王子欧季爱明; 关键词：嵌入式技术 ZIGBEE MESH网络测量系统

α粒子注入对SRAM存储单元的影响研究被引量：1: 2011年; 针对目前SRAM存储单元所面临的α粒子注入引起的软错误问题,首先采用一个简化的反相器模型,模拟其在α粒子注入时的输出变化;然后将该输出用作SRAM存储单元电路仿真的输入信号,研究α粒子注入对存储单元双稳电路稳定性的影响,其中,α粒子的注入通过一个电流源来模拟;最后,比较两种电流源模型下存储单元的存储情况。可以看出,pMOS等效电阻越大或节点电容越小,α粒子的注入越容易导致存储单元软错误的发生。也就是说,临界电荷越小,发生软错误的可能性越大。; 赵乐王子欧张立军; 关键词：SRAM 软错误 Α粒子

一种差分的浮栅型DRAM存储单元及DRAM存储器: 本发明公开了一种差分的浮栅型DRAM存储单元及DRAM存储器，该存储单元包括对称分布的单管浮栅动态存储单元晶体管M1和单管浮栅动态存储单元晶体管M2，所述晶体管M1和晶体管M2上接源线SL控制电路模块，所述晶体管M1和晶...; 王子欧张立军朱灿焰桑胜男马亚奇顾昌山佘一奇陈泽翔

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王子欧