王德君
- 作品数：65 被引量：55H指数：3
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法
- 本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，...
- 王德君尹志鹏杨超秦福文
- 文献传递
- 基于SoPC的自感知运动图像采集系统设计被引量：1
- 2009年
- 设计一种基于SoPC技术的自感知运动图像采集系统。该系统通过在FPGA芯片上配置采集控制电路和动态检测电路,可以实时捕捉外界场景运动变化,实现无人值守情况下有选择地采集并保存数据。由于主要控制电路集成在一个FPGA芯片上,该系统具有体积小,功耗低,设计灵活,可扩展性好等优点。
- 胡志海王德君朱巧智
- 关键词：FPGA图像采集SDRAM
- 基于铋膜的智能可穿戴重金属传感系统制备方法及其应用
- 基于铋膜的智能可穿戴重金属传感系统制备方法及其应用。本发明公开了一种重金属电化学智能传感系统的制备方法和应用，属于重金属检测传感材料技术领域。本发明通过优化丝网印刷油墨配方，得到高粘附性的油墨，能够让铋膜牢固负载在电极表...
- 朱楠江禹宿艳王德君
- 文献传递
- 一种降低SiO<Sub>2</Sub>/SiC界面态密度的方法
- 一种降低SiO<Sub>2</Sub>/SiC界面态密度的方法,涉及SiC(碳化硅)半导体器件的性能改进技术领域。其处理过程是：第一步，将SiC样品清洗，并氧化形成一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜；第二步，将样品装...
- 王德君李青洙秦福文
- 文献传递
- 一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法
- 本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)氮氢混合等离子体钝化处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、...
- 王德君孙雨浓杨超秦福文
- 镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
- 本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积EC...
- 秦福文马春雨白亦真王德君林国强
- 文献传递
- N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究被引量：2
- 2009年
- 采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。
- 王德君高明超朱巧智秦福文宋世巍王晓霞
- 关键词：碳化硅氢等离子体X射线光电子能谱
- 一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法
- 本发明属于碳化硅半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法，包括以下步骤：(1)将经过ECR氮等离子体钝化处理的样品放入探针台，抽真空，降温，(2)对施加电场应力前的样品进行C‑V...
- 王德君孙雨浓杨超秦福文
- 文献传递
- 石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法
- 本发明属于氮化镓基薄膜和器件制造技术领域，提供了石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法。以图形化金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备催化金属层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积...
- 秦福文马春雨白亦真王德君林国强
- 文献传递
- SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究被引量：1
- 2009年
- 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。
- 朱巧智王德君赵亮
- 关键词：金属氧化物半导体
