王霈文
- 作品数：29 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 在蓝宝石衬底上反应溅射法制备CeO2薄膜
- 实验用金属铈做为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向CeO2外延薄膜.实验结果表明在低温、低溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;当升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱(...
- 雷跃刚王霈文李弢古宏伟张华王萍
- 关键词：反应溅射蓝宝石超导薄膜
- 文献传递
- 磁控溅射法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)双面超导薄膜被引量：1
- 2000年
- 采用大直径中空柱状阴极磁控溅射装置和筒形加热器制备了高质量YBa2 Cu3O7-x双面超导薄膜。使用衬底为 (0 0 1)LaAlO3和 (0 0 1)YSZ。双面超导薄膜零电阻温度TC=89～ 91K ,临界电流密度JC≥ 10 6A/cm2 (77K ,零场下 ) ,微波表面电阻RS<1mΩ(77K ,10GHz)。对不同氧氩比下制备的双面膜进行了性能的比较。当O2 ∶Ar =1∶2 .5 ,衬底温度在80 0℃时 ,制备出了高质量的双面超导薄膜。同时对双面超导薄膜进行了微结构分析。用制备的 2 5mm× 2 0mm双面膜研制成功中频滤波器 ,中心频率为 1 0 6GHz时 ,插损为 0 6 7dB。
- 王小平刘援王霈文冯稷林晨光华志强张朝兴
- 关键词：磁控溅射YBA2CU3O7-X
- 一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备
- 一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备，包括有：水箱，在该水箱的环壁内设有水夹层；筒状靶材，该筒状靶材的外环壁与水箱的内环壁紧密接触；加长型筒状阳极，其底壁设有若干个溅射气体进气孔，并配有阳极盖，在阳极盖上接有进气管路；数...
- 李弢古宏伟王霈文王小平
- 文献传递
- 批量化制备双面高温超导薄膜装置
- 一种批量化制备双面高温超导薄膜装置，其特点是：将多个基片均匀排布在圆盘形的样品台上，由主转动轴带动旋转，在加热真空腔体内旋转加热，对靶一次性溅射制备大面积双面高温超导薄膜。在加热真空腔体上下两面对称开有溅射口，上下溅射靶...
- 古宏伟李弢王霈文杨坚
- 文献传递
- 一种具有密排尖端阳极的溅射设备
- 一种具有密排尖端阳极的溅射设备，该溅射设备是在溅射腔体上设有真空管路、进气管路，并在溅射腔体内设有溅射靶材、加热体，在所述的溅射靶与样品之间设有密排尖端阳极，该密排尖端阳极是以金属作为基体，其中部镂空，镂空部分的内侧边缘...
- 李弢古宏伟王霈文
- 文献传递
- 多功能加热炉用水管连接器
- 本实用新型公开了一种多功能加热炉用水管连接器，其包括一内有直通水路的水嘴，该水嘴两端分别有水管接口，至少在水嘴的上侧管壁上开设有与水嘴内水路相通的排水、泄气接口，在水嘴的下侧壁上开设温度传感器接口，在排水、泄气接口有内螺...
- 王霈文李楠冯德伸
- 文献传递
- 用于制备薄膜的筒型辐射式加热器
- 本发明公开了一种用于制备薄膜的筒型辐射式加热器，包括一筒型炉体，在炉体的炉壁上绕有加热丝，炉体的外侧有隔热层，所述的加热丝受控于一控温单元装置；炉体炉底周边上均布若干孔。本加热器结构合理紧凑；温度恒温区面积有足够大的尺寸...
- 王小平冯稷刘援王霈文古宏伟
- 文献传递
- 直流磁控溅射制备两英寸YBCO双面超导薄膜
- 报告了以直流磁控溅射方法在两英寸LaAlO3基片上制备YBCO双面超导薄膜的Tc、Jc和Rs特性.获得的双面YBCO薄膜的厚度大于300nm.研究了双面薄膜的Jc及Tc均匀性,及工艺参数对其影响.结果表明适当降低基片温度...
- 李弢王霈文古宏伟王小平谢波玮
- 关键词：磁控溅射工艺参数
- 文献传递
- 反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层被引量：1
- 2007年
- 用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1 102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱,(002)取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下(衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。
- 雷跃刚王霈文李弢古宏伟
- 关键词：反应溅射蓝宝石
- <100>P型4英寸无位错锗单晶的研制被引量：5
- 2018年
- 从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列的数值模拟研究,获得了4英寸无位错锗单晶的温度分布、轴向和径向的温度梯度分布以及热应力的分布结果：双加热器热场系统生长的锗单晶中轴向温度梯度在0.1~0.6 K·cm-1范围内,径向温度梯度为0.02~0.26 K·cm-1;锗单晶中局部区域的热应力值超过了锗单晶的临界切应力1 MPa,其他区域的热应力小于临界切应力。实验将双加热器热场系统中生长的无位错锗单晶,按要求切取测试片后进行位错腐蚀测量研究,获得测试片的位错密度和锗晶体的位错纵向分布。论文研究结果表明,锗单晶晶体中的应力分布数值模拟预期结果与实验生长的锗单晶位错腐蚀实验研究结果一致：该双加热器热场系统适合拉制4英寸无位错锗单晶;其位错呈离散分布,位错密度为350~480 cm-2。
- 高欢欢黎建明冯德伸王霈文李葳
- 关键词：锗单晶温度梯度
