田牧
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
- 温度对碳化硅粉料合成的影响被引量：4
- 2012年
- 采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
- 田牧徐伟王英民侯晓蕊毛开礼
- 关键词：碳化硅温度粒度
- 利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC
- 2017年
- 引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好。低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×1016 cm-3。这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶。
- 李斌魏汝省田牧
- 莫依桑石市场调研与SWOT分析
- 2016年
- UNINOSS作为一家新兴的国内莫依桑石生产商,合成的高品质莫依桑石引起了国内外的广泛重 视.为了更好地把握市场,推广品牌,需要深度调研莫依桑石国内外市场,并且根据调研资料对 UNIMOSS 目前的状况进行 SWOT分析,分析表明, UNINOSS的优势表现为：质量控制优势,具有自己的原料生产基 地,将净度和色级稳定地控制在了优良的等级,废品率极低;有竞争力的价格优势, UNINOSS使用自主研发 的设备及粉料,自主合成莫依桑石原石,由专业质检人员对合成出的莫依桑石原石检测和分级,再进行裸石的 切割和研磨,使莫依桑石原石的利用率最大化,降低损耗,节约成本.UNIMOSS的莫依桑石产品在同等质量 下价格比同行便宜;清晰的市场定位,以批发为主,满足珠宝商和经销商们的原石采购,目前重点为莫依桑石 晶体和裸石的生产和销售;优质的服务,满足客户的不同需求,而且丰富的库存更是为顾客的实时需求提供了 重要保障,避免了客户因延期而造成的不必要的损失.UNINOSS的劣势表现为 ：UNINOSS成立时间短,品 牌知名度不够高;没有自己的裸石加工厂.UNINOSS存在的机会有：竞争对手的地位有所动摇,使其有机会 抢占市场;莫依桑石在中国市场的发展潜力巨大,且目前国内竞争对手较少,增加了优先抢占市场的几率. UNINOSS的威胁包括来自国内和国际市场的竞争.由此得出 UNIMOSS劣势和威胁的解决方案,为 UNI-MOSS 的发展提出了 建议： UNIMOSS 需多参加有影响力 的国内外专业展会; 在专业报纸和杂志上刊登广告, 以点代面辐射各地市场;并且在有一定市场影响力的地区,进行一些能提升自身品牌形象的推广及促销活动, 加深该地区的影响力并辐射到周边城市.此外,还须加大国际市场的开发.并与本地拥有成熟的加工工艺以 及相当规模的宝石加工厂建立长期合作关系,并且 UNIMOSS的质检人员�
- 田牧付芬刘燕燕任慧珍
- 关键词：SWOT
- 籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响被引量：3
- 2011年
- 空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。
- 毛开礼徐伟王英民田牧王利忠
- 关键词：SIC单晶
