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罗豪

作品数：11 被引量：62H指数：5
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 3篇电畴
  • 3篇铁电
  • 3篇畴结构
  • 2篇铁电畴
  • 2篇光学
  • 2篇PMN-PT
  • 1篇单畴
  • 1篇单晶
  • 1篇碘化
  • 1篇碘化物
  • 1篇电畴结构
  • 1篇形貌
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇阴离子
  • 1篇折变
  • 1篇溶液法
  • 1篇色散

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇罗豪
  • 7篇仲维卓
  • 4篇殷之文
  • 3篇华素坤
  • 3篇齐振一
  • 2篇余寒峰
  • 2篇李国荣
  • 2篇初瑞清
  • 2篇曾华荣
  • 2篇殷庆瑞
  • 1篇赫崇君
  • 1篇张冰阳
  • 1篇徐海清
  • 1篇黄宣威
  • 1篇万新明
  • 1篇许桂生

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 2篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 3篇1994
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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硅酸铋晶体的结晶习性与形貌被引量：6
1995年
从结晶化学角度出发，研究了熔体提拉法生长硅酸铋（ＢＳＯ）晶体的结构与形貌，提出晶体的生长基元为和负离子配位多面体的论点。研究了晶体中各族晶面的显露程度与四面体结晶方位的时应关系，晶体中的正极面与硅氧四面体面平行；四面体的顶角正对向负极面。
仲维卓罗豪华素坤
关键词：结晶习性硅酸铋晶体晶体形貌
磷酸盐晶体中络阴离子结晶方位与晶体形态被引量：6
1999年
研究了磷酸盐类晶体中的络阴离子[PO4]-和[CaP6O24]16-在晶体中的结晶方位，与[ClCa6]11+八面体相互联结的稳定性决定了各个面族的生长速率.根据磷灰石各族晶面显露的习性，提出了采用人工生长的磷灰石做人工关节时，应该注意磷灰石的取向问题．平行于C轴方向生长的磷灰石有利于与人体骨骼的快速愈合．
仲维卓罗豪黄宣威黄宣威华素坤
关键词：晶体结构磷酸盐晶体
水溶液中晶体生长台阶运动的实时观察方法被引量：5
1994年
虽然ＢＣＦ理论在晶体的气相生长中得到了许多实验事实的验证，但是在晶体的水溶液生长中还没有得到实验的定量验证。本文介绍了通过实时观察水溶液中ＣｄＩ＿２晶体生长台阶的运动过程去研究晶体生长机制的方法。实验结果表明台阶列的间距比它的高度要大得多。在现有的各种晶体表面的显微手段中，位相差显微镜是实时观察研究水溶液中台阶运动的非常有力的工具。利用显微镜和摄像机，录像机相连结，可以方便地进行晶体生长动力学过程的实验研究。
罗豪仲维卓殷之文小松
关键词：水溶液晶体生长
CdI_2晶体生长机制的实时观察研究被引量：1
1994年
本文介绍了实时观察方法研究ＣｄＩ＿２晶体的水溶液生长的实验系统和实验结果。通过对ＣｄＩ＿２晶体的螺位错生长过程中，台阶运动过程及台阶稳定性的实时观察研究，得出台阶运动也存在着伯格效应的结论。在晶体生长的台阶列中，台阶的高度相对比较低，台阶列的间距比较大，定量的测量结果表明，在过饱和度较小的条件下，ＣｄＩ＿２晶体的生长蜷线中，台阶列的间距和溶液的过饱和度成反比关系（ｄ∝１／σ）。在不同过饱和度条件下，晶体生长有着不同的生长机制，实验过程中测出了ＣｄＩ＿２晶体生长的两临界过饱和度σ￣＊，σ￣（＊＊）。
罗豪仲维卓殷之文小松启
关键词：晶体生长碘化物
BaTiO_3晶体的电畴结构和单畴化方法被引量：12
1997年
BaTiO3晶体的光折变应用之前，必须对晶体进行单畴化处理．根据BaTiO3晶体中90°电畴结构和包裹体之间的关系，我们找到一种在晶体极化之前就能有效地检查出BaTiO3晶体中包裹体的方法．根据BaTiO3晶体中90°电畴和180°电畴的形成特点，既可以让晶体以缓慢速度降温通过顺电-铁电相交点（1℃／15min），消去BaTiO3晶体的90°电畴，也可以用在α轴方向上施加一定的压力消去BaTiO3晶体的90°电畴．180°电畴可以在晶体的温度接近居里点时。
罗豪齐振一张冰阳仲维卓
关键词：BATIO3相变电畴结构钛酸钡光折变
铌酸锂（LN）晶体生长基元与结晶形貌被引量：13
1994年
本文从结晶化学角度出发，研究了ＬｉＮｂＯ＿３（ＬＮ）晶体的生长机理。根据对ＬＮ熔体结构的测试资料和晶体生长过程中生长脊的显露规律，提出ＬＮ晶体的生长基元为Ｎｂ－Ｏ＿６八面体和通过Ｌｉ离子把两个Ｎｂ－Ｏ＿６八面体连接在一起形成一个维度更大一级的生长基元。由于不同温度条件下所形成的生长基元维度不同，所以各生长基元往晶体各个面族上的叠合速率亦不相同。结晶过程中Ｎｂ－Ｏ＿６和Ｌｉ－Ｏ＿６八面体连接的难易遵守着鲍林定律关于负离子配位多面体相互连接的稳定性所决定的。｛１０－１２｝面族Ｎｂ－Ｏ＿６和Ｌｉ－Ｏ＿６八面体相互间是以顶角相连接，故稳定性最好，该面族生长速率最快，在拉晶过程中是以突起的生长脊为显露特征。
仲维卓罗豪华素坤
关键词：铌酸锂非线性光学晶体晶体生长
弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅的光学性能
本文系统地研究了(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMNT)单晶的光学透过率与结晶学取向和组分的关系，发现[001]方向单晶透过性能最佳四方相单晶的透过率明显大于三方相和准同型相界。MPB四方相...
赫崇君赵祥勇万新明罗豪
关键词：光学性能色散关系
弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展被引量：16
1999年
本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导，由介电性能表征．压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳，＜001＞切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器．＜001＞向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变，可望成为高性能的固体驱动器．
许桂生罗豪齐振一徐海清殷之文
关键词：单晶压电性铁电体
PMN-PT弛豫铁电单晶畴结构的压电响应力显微术研究被引量：2
2004年
利用压电响应力显微术开展了PMN-PT弛豫铁电单晶铁电畴结构的三维极化取向成像、畴结构的不均匀性及极化状态稳定性机理的研究.揭示了纳米尺度畴结构的不均匀性源于纳米尺度极性微区的相互作用和无规场之间的共同调制,而单晶表面屏蔽电荷机制主要源于大气环境下水的溶解性吸附,该机制对PMN-PT单晶中畴状态的稳定性及材料最佳性能的发挥起着重要作用.
曾华荣余寒峰初瑞清李国荣罗豪殷庆瑞
关键词：铁电畴
晶体生长的台阶列运动的一个基本特点被引量：4
1995年
本文介绍了用实时观察方法研究水溶液中晶体生长长机制的实验。通过对水溶液中ＣｄＩ＿２晶体的生长台阶运动的实时观察研究，首次提出了在过饱和度较小的条件下，生长台阶列的间距和生长界面上环境相的过饱和度成反比的结论。本文还给出了在一定的限制条件下，台阶列运动的这一特点的理论推导。
罗豪仲维卓殷之文小松启
关键词：晶体生长
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