肖金龙
- 作品数：60 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学机械工程更多>>
- 基于半导体双模微腔激光器的混沌信号产生装置及方法
- 本公开提供了一种基于半导体双模微腔激光器的混沌信号产生装置，包括：微腔激光器，用于发射激光光束；光分束器，用于将激光光束分为两束光束，第一光束从光分束器的第一输出端输出，第二光束从光分束器的第二输出端反馈至微腔激光器；其...
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- 文献传递
- 电注入椭圆微腔半导体激光器热特性分析被引量：2
- 2016年
- 对长轴为12μm、短轴为10μm并在长轴处直连2μm宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为ZT=0.846 K/m W。用有限元分析法计算椭圆微腔的热阻,理论与实验结果相吻合,热阻的最大偏差为5%。研究了微腔激光器衬底厚度对微腔有源区温度的影响,通过引入侧向散热机制有效改善了微腔激光器的热特性。
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- 关键词：激光器半导体激光器微腔热阻
- 高速随机数发生器
- 本公开提供了一种高速随机数发生器，包括：微腔混沌激光器(1)，用于在无外光注入、外光反馈或外光电反馈条件下，利用模式间相互作用产生大频谱带宽的混沌光信号，其中，所述微腔混沌激光器(1)为片上半导体自发微腔混沌激光器；光纤...
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- 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器
- 2009年
- 利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式。采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响。
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- 关键词：光学微腔半导体激光器GAINP/ALGAINP
- 抗反馈耦合腔半导体激光器
- 本公开提供一种抗反馈耦合腔半导体激光器，属于光纤通信和半导体激光器技术领域，包括回音壁微腔(1)、FP腔(2)，所述FP腔(2)沿其长度方向依次形成有第一端和第二端，所述回音壁微腔(1)与所述FP腔(2)的第一端相连接，...
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- 文献传递
- 定向输出的变形正方形微腔半导体激光器
- 本公开提供一种定向输出的变形正方形微腔半导体激光器，该半导体激光器包括：回音壁微腔(1)，为变形正方形结构，变形正方形为其中一个正方形顶点所在的两条边为弧边；波导(2)，为长方形结构，沿其长度方向依次形成第一端和第二端(...
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- 单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器
- 本发明提供了一种单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器，该单片集成窄线宽耦合腔半导体激光器，包括：N面电极；下接触层，形成在N面电极上；N型衬底，形成在下接触层上；耦合腔，形成在N型衬底上，其中，耦合腔包括回音壁型微腔和FP型...
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- 文献传递
- 近简并多模微腔激光器、随机数产生装置及应用
- 一种自发混沌的近简并多模微腔激光器、随机数产生装置及应用，该自发混沌的近简并多模微腔激光器包括一N电极层、一N型衬底、一第一限制层、一有源区层、一第二限制层、一欧姆接触层以及一P电极层；所述第一限制层、有源区层、第二限制...
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- 介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器被引量：1
- 2014年
- 硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。
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- 关键词：半导体激光器晶片键合
- 一种单模激射圆环微腔激光器
- 本发明公开了一种单模激射圆环微腔激光器，其包括：圆环形微腔谐振腔，所述圆环形微腔谐振腔的内壁上分布光栅结构。所述光栅结构的光栅周期数目等于所述单模激射圆环微腔激光器的单模激射模的角向量子数。所述圆环形微腔谐振腔包括上限制...
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- 文献传递
