您的位置： 专家智库 > >

范雪梅

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇射频
  • 5篇背栅
  • 5篇SOI_LD...
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇化物
  • 4篇硅化物
  • 4篇硅栅
  • 3篇电路
  • 3篇电学测量
  • 3篇引线
  • 3篇芯片
  • 2篇电路版图
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇图结构
  • 2篇版图
  • 2篇H型

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇范雪梅
  • 7篇赵超荣
  • 7篇刘梦新
  • 7篇毕津顺
  • 6篇韩郑生
  • 6篇刘刚
  • 5篇杜寰
  • 3篇胡云中
  • 3篇雒建斌
  • 1篇卜建辉
  • 1篇赵发展
  • 1篇宋李梅

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构
本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构，所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的铜引线构成的铜电阻阵列，铜引线的根数大于3，所述铜电阻阵列中铜引线首尾相串联，所述铜电阻阵列首尾端...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
文献传递
RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应(英文)被引量：1
2008年
研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征.实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能.
刘梦新韩郑生毕津顺范雪梅刘刚杜寰宋李梅
关键词：部分耗尽SOILDMOS射频
射频功率LDMOS器件研究
近十年来，个人消费类电子及移动通信设备需求的迅猛增长促进了射频集成电路的快速发展。步入3G时代，以TD-SCDMA、WCDMA、CDMA2000为标准的第三代移动通讯技术无不对射频集成电路提出了更高的要求。横向扩散晶体管...
范雪梅
关键词：射频功率射频集成电路
具有H型栅的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOILDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
文献传递
具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>-</Sup>区、N<Sup>-</Sup>区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
文献传递
基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究
研制了一种与0.1μmSOI CMOS工艺兼容的射频PD SOI NMOSFET,并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响,分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导,输出特性以及交流小信号电流增...
刘梦新刘刚卜建辉范雪梅毕津顺赵发展韩郑生
关键词：部分耗尽SOI射频
文献传递
具有H型栅的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>－</Sup>区、N<Sup>－</Sup>区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
文献传递
具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件
本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P<Sup>－</Sup>区、N<Sup>－</Sup>区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、...
刘梦新毕津顺范雪梅赵超荣韩郑生刘刚
文献传递
用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
文献传递
用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用...
范雪梅赵超荣杜寰胡云中雒建斌
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0