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袁仁宽

作品数:18 被引量:43H指数:4
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文献类型

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机构

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作者

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年份

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  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
科研光、电测试系统
2003年
在Win2000下,利用计算机并行口的SPP模式,开发了一套集信号发生,光电信号转换与瞬态信号采集的科研测试系统。此系统在有机半导体发光器件的瞬态光、电特性研究中得到应用。
郑怡欧昌刚孔凡袁仁宽
关键词:信号发生测试系统
ITO/BTEO-PPV:PUI/Al的光电特性被引量:2
2004年
报道了用单离子导体聚氨酯酰亚胺磺酸钠(PUI)作为固体电解质和共聚[2,5 二(三乙氧基) 1,4 对苯乙炔] [1,4 对苯乙炔](BETO PPV)作为发光层的单离子聚合物发光电池(SLEC)的制作和测量。实验结果及其分析表明:不可移动阴离子的存在使SLEC的正反向稳态电流 电压(I V)曲线不再对称;SLEC具有快速响应的主要原因是SLEC中固定的阴离子对阳离子的散射比LEC中运动的阴离子对阳离子散射小。SLEC的电容 频率(C f)特性证实了阳离子在薄膜中具有较快的响应速度。
欧昌刚孔凡郑怡张苏洋杨昌正袁仁宽
关键词:离子输运
肉桂醛存在下的吡咯电解聚合
1992年
在肉桂醛存在下,将吡咯用电解聚合法分别在玻璃和导电胶片表面上形成薄膜,并用循环伏安法研究了它们的电位-电流特性,发现在相同的实验条件下,在不同的基质表面上所得到的聚合物具有不同形状的图谱,表明用电解聚合法构成复合材料时,基质表面的组成与结构是决定薄膜性质的重要因素之一。
邰子厚冯骏材余学海杨昌正袁仁宽
关键词:肉桂醛聚吡咯循环伏安
分形电极/电解液界面阻抗谱的恒相角特征被引量:2
1994年
分析了离子在交变电场中的行为及其与界面分形结构的关系,得出分形电极/电解液界面的阻抗谱具有恒相角特征的结论,并导出η与分形维数D_s之间的具体关系η=3-D_s以及频率与标度之间的正比关系,这些结果与Liu,Sapoval,Hill和Chu等的计算结果一致,由于这些结果具有普适性,从而确认电极表面的分形结构是恒相角阻抗的物理根源,并为表面与界面分形的研究提供了新的途径。
王永宾袁仁宽袁宏陈忠辉
关键词:电极阻抗谱
聚合物半导体PAn表面场效应管
1993年
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
袁仁宽杨树成袁宏江若莲郑有炓钱辉作桂德成
关键词:聚合物半导体场效应晶体管
SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源被引量:4
2001年
我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了 SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明,该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位,而与锗的氧化物紧密相关。PLE的结果证实它们来源于GeO色心TⅡ’→S0的光学跃迁,给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
沈今楷吴兴龙袁仁宽谭超邓树胜鲍希茂
关键词:光荧光氧化锗
多孔硅的电致发光被引量:1
1993年
采用横向阳极氧化技术在n型单晶硅衬底上制备多孔硅,室温下光荧光谱峰值位于688nm;表面蒸铝形成铝/多孔硅/硅的类肖特基结构,并观察到采用这种方法生长的多孔硅样品的室温电致发光。铝/多孔硅结具有良好的整流特性,在-10V内反向漏电流小于50nA,理想因子为7。室温电致发光的阈值电流为8.5mA,发光强度随正向电流的增加而加强。
施洪涛郑有炓王永宾袁仁宽
关键词:多孔硅肖特基结电致发光
多孔硅发光特性的研究被引量:1
1993年
在以氢氟酸为基本组份的腐蚀液中,以单晶硅为阳极采用横向阳极氧化方法,制备了具有光致发光特性的多孔硅,系统地研究了多孔硅薄膜的光学性质;x光衍射分析表明样品具有良好的晶体质量;测量了样品的变波长激光喇曼光谱,光致发光峰值波长和半峰高宽度对电解液组份、电解电流密度及电解时间等量的依赖关系;利用二维量子尺寸效应对上述物理现象作了定性的解释.
施洪涛郑有炓王永宾袁仁宽
关键词:阳极氧化多孔硅光致发光
试论学位与研究生教育评估指标体系被引量:11
1997年
试论学位与研究生教育评估指标体系●毛昌鉴袁仁宽汪以初张国梁一、评估及其指标体系的重要性学位与研究生教育的评估已成为人们争相议论的热点话题。评估结果的公之于众,不仅影响到学校或学科点的地位和声誉,而且直接影响到政府和社会的支持,影响到生源的数量和质量以...
毛昌鉴袁仁宽汪以初张国梁
关键词:质量指标学科点学位与研究生教育教育评估客观性
有机半导体研究进展被引量:4
2003年
1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高 1 2个量级 ,由绝缘体变成导体 ,从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外 ,还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高达 1 0 5cm2 /V.s的高质量有机半导体晶体 ,在其中观察到量子霍尔效应 ,并用其制成有机半导体激光器。如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。
袁仁宽沈今楷孔凡
关键词:有机发光二极管聚合物半导体有机晶体孤子载流子有机半导体
共2页<12>
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