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3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2: 2002年; 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+; 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴; 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散

一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法: 本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...; 黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕

预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用: 2016年; 针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的方式可有效抑制硼扩散和减小结深。锗预非晶化后5 ke V,1×10^(15)/cm^2条件下注入的硼在激光退火(波长532 nm、脉冲宽度小于20 ns、能量密度0.25 J/cm^2)中的再扩散量非常小,退火后结深较注入结深仅增加6 nm,但激活率仅为24%。相同的硼掺杂条件下采用碳的共注入,常规快速热退火下的结深较未注碳样品减小49%,而且实现了84%的硼激活率。在单项实验基础上,进一步将预非晶化和碳共注入技术应用于纳米尺度器件制作,实验制备了亚50 nm PMOS器件,器件在Vdd=-1.2 V时的电流开关比大于104,亚阈值斜率为100 m V/dec,漏致势垒降低(DIBL)值为104 m V/V。; 许晓燕陈文杰刘兴龙; 关键词：激光退火硼扩散超浅结

一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...; 艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕

一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备: 本发明公开了一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备方法。其中，N型场效应晶体管在衬底和体区之间增加了一层n+外延层，沟道为p/p+倒掺杂结构层，源漏分别通过一个“L”形绝缘层与体区隔离，“L”形绝缘层顶面到沟...; 薛守斌黄如张兴许晓燕; 文献传递

由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法: 本发明公开了一种由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法，本发明利用由悬空的纳米线连接的长方体A和长方体B组成的测试结构，实现对材料一维到三维由于维度突变而引起的边界热阻进行测试，对纳米尺度器件散热结构的设计和关键...; 黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕; 文献传递

一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列: 本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变...; 唐粕人黄如蔡一茂许晓燕

在体硅上制备独立双栅FinFET的方法: 本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立...; 黄如樊捷闻许晓燕李佳王润声; 文献传递

由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法: 本发明公开了一种由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法，本发明利用由悬空的纳米线连接的长方体A和长方体B组成的测试结构，实现对材料一维到三维由于维度突变而引起的边界热阻进行测试，对纳米尺度器件散热结构的设计和关键...; 黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕

一种制备超细线条的方法: 本发明公开了一种制备超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法将掩膜阻挡氧化及分步氧化工艺相结合来得到悬空超细线条。制备出的悬空超细线条直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确...; 黄如孙帅艾玉杰樊捷闻王润声许晓燕; 文献传递

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许晓燕