许燕
- 作品数：7 被引量：13H指数：2
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程建筑科学自动化与计算机技术更多>>
- GaAs PHEMT器件的失效模式及机理被引量：6
- 2007年
- 归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移。
- 许燕黄云邓文基
- 关键词：砷化镓晶体管失效模式
- GaAs PHEMT器件沟道退化分析及对寿命的影响研究
- GaAs PHEMT是单片微波集成电路（MMIC）的关键结构，其寿命和长期可靠性对微波毫米波频段的空间和军事领域的通信应用至关重要，GaAs PHEMT因其价高量少和对匹配的要求很高，致使寿命试验很少开展，空间应用和在通...
- 许燕
- 关键词：加速寿命试验欧姆接触电压应力电流应力单片微波集成电路
- 文献传递
- GaAs PHEMT器件的可靠性评估方法研究被引量：2
- 2008年
- 本文从GaAs PHEMT器件的失效机理出发,总结了PHEMT器件的几种可靠性评估方法:利用沟道区碰撞电离率对PHEMT器件的热电子退化的评估方法、高频C-V法对肖特基势垒接触退化的可靠性表征方法、用于欧姆接触退化表征的温度斜坡快速评价方法以及2DEG结构引起PHEMT器件失效的可靠性评估方法。
- 许燕邓文基黄云
- 关键词：PHEMT可靠性
- GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析被引量：5
- 2010年
- GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。
- 崔晓英许燕黄云
- 关键词：GAASPHEMT欧姆接触
- 基于Agentflow工作流程系统的应用与研究
- 许燕
- 关键词：工作流工作流程管理系统
- GaAs PHEMT器件的可靠性评估方法
- 本文从GaAs PHEMT器件的失效机理出发,总结了PHEMT器件的几种可靠性评估方法:利用沟道区碰撞电离率对PHEMT器件的热电子退化的评估方法、高频C-V法对肖特基势垒接触退化的可靠性表征方法、用于欧姆接触退化表征的...
- 许燕黄云邓文基
- 关键词：PHEMT器件可靠性评估温度斜坡
- 文献传递
- GaAs PHEMT器件栅金属下沉效应及其对性能的影响
- 本文阐述了GaAs PHEMT器件的一种主要失效机理——栅金属下沉效应，介绍了栅金属下沉的研究现状和常见研究方法，详细探讨了高温加速寿命试验下,GaAs PHEMT器件栅金属下沉的物理机制以及其对器件性能参数的影响。Ga...
- 许燕黄云邓文基
- 关键词：集成电路功率器件可靠性分析
- 文献传递
