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费允杰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇离子注入
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基底
  • 1篇N型

机构

  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张红霞
  • 1篇李超
  • 1篇孙秀平
  • 1篇冯克成
  • 1篇费允杰

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
在n型硅基底上二次注入硼离子金刚石膜的p-n结效应(英文)
2005年
在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的均匀分布,测试了样品的I-V特性,发现其具有明显的pn异质结效应.
孙秀平冯克成李超张红霞费允杰
关键词：离子注入金刚石膜异质结
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共1页<1>
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