赵珉
- 作品数：31 被引量：45H指数：4
- 供职机构：湛江师范学院信息科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 微光刻与电子束光刻技术
- 自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上第一块平面集成电路开始算起,在短短的五十余年中,微电子技术及微纳米技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹.作为微电子技术与纳米科学技术工艺基础的微光刻与电子束光刻技...
- 陈宝钦谢常青刘明赵珉吴璇牛洁斌任黎明王琴朱效立史丽娜徐秋霞
- 一种纳米尺度图形的制作方法
- 本发明是关于一种纳米尺度图形的制作方法，该方法包括以下步骤：A、对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B、在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C、对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照预设的图形在单线直写曝光...
- 赵珉陈宝钦刘明牛洁斌
- 文献传递
- 复杂掩模图数据处理与转换的研究被引量：3
- 2012年
- 将数字图像处理理论和算法引入到掩模版图数据处理与转换系统中,开发了相应的数据处理与转换软件模块。实现了bmp图像文件的输入、图像的灰度量化、对比度拉伸、反转、边缘检测、多边形近似及版图文件的输出。实验结果证明,该软件能将含有较复杂图形的bmp文件成功地转换为GDSII版图文件。
- 赵珉汤跃科陈宝钦李金儒胡勇
- 关键词：图像处理数据转换BMP文件
- 电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用被引量：7
- 2008年
- 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。
- 陈宝钦赵珉吴璇牛洁斌刘键任黎明王琴朱效立徐秋霞谢常青刘明
- 关键词：电子束光刻电子束直写
- 用于非球面测试的位相型计算全息图制作
- 2008年
- 本文对计算全息图元件的设计和制作关键技术进行了研究,自行开发了计算全息图元件光刻图形计算机生成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的基础上,采用湿法腐蚀铬、感应耦合等离子体刻蚀石英玻璃两步图形转移的方案,制作出了图形区直径为64 mm、最外环线条宽度为2.0μm、刻蚀深度为690 nm的位相型计算全息图元件,并对加工结果进行了测量。结果表明,本方案所制作的计算全息图元件具有良好的加工质量,符合应用的需求。
- 马杰朱效立谢常青叶甜春赵珉刘明陈宝钦朱日宏高志山马骏
- 关键词：计算全息图电子束光刻湿法腐蚀感应耦合等离子体刻蚀
- 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法
- 本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行...
- 赵珉朱效立陈宝钦刘明
- 文献传递
- 高线密度X射线透射光栅的制作工艺被引量：13
- 2007年
- 采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.
- 朱效立马杰曹磊峰杨家敏谢常青刘明陈宝钦牛洁斌张庆钊姜骥赵珉叶甜春
- 关键词：电子束光刻透射光栅X射线光刻
- 一种电子束曝光散射参数的提取方法
- 本发明涉及一种电子束曝光散射参数的提取方法。为了解决现有电子束曝光散射参数提取方法中操作繁琐且难以保证准确性的问题，本发明提供一种电子束曝光散射参数的提取方法，该方法根据所要进行参数提取的电子束抗蚀剂及衬底结构特性设计出...
- 赵珉陈宝钦刘明牛洁斌
- 文献传递
- 电子散射参数提取的新方法被引量：1
- 2010年
- 准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。
- 赵珉陈宝钦谢常青刘明牛洁斌
- 关键词：电子束光刻邻近效应校正电子散射散射参数微细加工抗蚀剂
- 将CIF格式多边形切割成PG3600格式矩形的方法
- 本发明涉及微光刻图形数据格式转换技术领域，公开了一种将CIF格式多边形切割成PG3600格式矩形的方法，该方法包括：对于独立的非直角三角形，作一个边的高将其切割成两个直角三角形；对于边数大于或等于四的多边形，过顶点及后续...
- 李金儒赵珉王琴刘明陈宝钦
- 文献传递
