邢海英
- 作品数：7 被引量：41H指数：3
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究被引量：18
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.
- 邢海英范广涵赵德刚何苗章勇周天明
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN被引量：29
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
- 邢海英范广涵章勇赵德刚
- 关键词：电子结构光学性质
- 电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响
- 2007年
- 光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率。应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%。
- 郑品棋范广涵李述体孙惠卿郑树文邢海英
- 关键词：光电子学
- GaN基三阱量子级联激光器结构的垒层Al组分分析
- 2009年
- 基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果.
- 陈贵楚范广涵李述体邢海英
- 关键词：量子级联激光器AL组分跃迁矩阵元
- MOCVD技术在紫外探测器领域的应用
- 本文介绍MOCVD技术在紫外探测器领域的应用。综述MOCVD技术对阳盲紫外探测器材料生长工艺的改进,着重介绍三族氮化物三元、四元系合金材料的制备发展过程以及取得的成果。
- 邢海英
- 关键词：紫外探测器MOCVD
- 文献传递
- 金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究被引量：1
- 2010年
- 研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为1.44eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E.
- 邢海英范广涵杨学林张国义
- 关键词：GAMNNMOCVD密度泛函理论光学性质
