郑伟威
- 作品数：4 被引量：15H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 纳米GaN固体的制备与表征被引量：1
- 2003年
- 本研究工作以氯化氨作矿化剂 ,在 35 0～ 4 5 0℃、15～ 5 0MPa的条件下 ,用氨基钠作为氮的前体 ,和金属镓反应合成了氮化镓晶体。用X射线衍射、透射电子显微镜、激光拉曼光谱、红外光谱等方法对产物进行表征 ,结果显示得到的晶体为六方纤锌矿结构 ,平均粒径为 16nm ,晶格参数a =0 .32 15nm ,c=0 .5 2 2 3nm。晶体的完整性好、产率高 ,并探讨了可能的反应机理。
- 郑伟威郭范万松明刘新征尹屹梅
- 关键词：X射线衍射透射电子显微镜激光拉曼光谱红外光谱
- 水热法合成六角片状Co_9S_8晶体被引量：1
- 2004年
- 本文以七水合硫酸亚钴 (CoSO4·7H2 O)和无水亚硫酸钠 (Na2 SO3 )为原料 ,以水合肼 (N2 H4·H2 O)为还原剂 ,利用水热法合成了立方晶系的六角片状Co9S8单晶。运用X射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM)和振动样品磁强计(VSM)对产物进行了表征。结果表明 ,产物主要由直径为 0 .8～ 1.5 μm六角片状Co9S8单晶组成 ,合成单晶的温度为180℃ ,时间为 72h。在室温下 ,产物的饱和磁化率 (Ms)和矫顽力 (Hc)分别为 6 5emu/g和 333Oe。
- 张元广郭范万松明郑伟威
- 关键词：水热法合成无水亚硫酸钠SO3晶体立方晶系磁化率
- 半导体材料GaN和ZnO的制备，晶体生长及表征
- 本论文旨在探索无机半导体晶体材料的化学合成与生长路线。以水热、溶剂热技术为基础，利用各种控制方法和反应路线制备了多种半导体晶体，丰富和发展了水热法和溶剂热法制备技术。论文主要内容归纳如下：1.利用温和的反应路线，在高压釜...
- 郑伟威
- 关键词：半导体材料GANZNO晶体生长
- 文献传递
- 六方柱与六角片状CdS晶体的水热法生长被引量：12
- 2005年
- 本研究工作先用CdCl2和S粉在120℃碱性水溶液中合成了CdS粉末前驱体,再以NaOH为矿化剂,不同的水热条件下分别生长了六方柱和六角片状的CdS晶体。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及晶体显微照片对产物进行了表征,并分别探讨了水热条件与晶体形貌、六角片状晶体的大小与生长条件之间的关系。
- 高宁郭范郑伟威陈茜
- 关键词：硫化镉水热法晶体生长
