郭育林
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究被引量：2
- 2007年
- 通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。
- 程正喜郭育林周嘉
- 关键词：反应离子刻蚀AL
- 光致硅微悬臂梁形变理论研究
- 2006年
- 研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论.从力学和半导体物理学基本理论出发,考虑了光生载流子的空间分布以及载流子表面复合,提出了一种新的光致悬臂梁弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法.模型更为合理的解释了光致悬臂梁弯曲的根本动力,其计算结果和实验测量结果与文献报道相比更为接近.研究为基于光致应变效应的硅悬臂梁传感器打下了理论基础.
- 郭育林许谷城周嘉黄宜平鲍敏杭
- 关键词：微悬臂梁
- 微悬臂梁光致弯曲效应的研究
- 微悬臂梁光致弯曲效应是指微悬臂梁在光束照射下，由于光生非平衡载流子的存在而导致的弯曲现象，已经在光子探测器和气体传感器中取得了一定应用。相对于传统的基于光热等效应的光子探测器，利用光生载流子产生应变具有更快的效应速度(<...
- 郭育林
- 关键词：微悬臂梁载流子
- 文献传递
- 氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理
- 2007年
- 为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016/cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况。研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著。晶片在300℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400℃之间。研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺。
- 郭育林倪敏璐周嘉竺士炀黄宜平
- 关键词：GAAS异质结构材料
- 光致硅微悬臂梁形变理论研究
- 本文研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论.从力学和半导体物理学基本理论出发,考虑了光生载流子的空间分布以及载流子表面复合,提出了一种新的光致悬臂梁弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法.模型更为合理的解释...
- 郭育林许谷城周嘉黄宜平鲍敏杭
- 关键词：微悬臂梁形变理论光生载流子
- 文献传递
