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金国芬

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇电学
  • 2篇立方相
  • 2篇MIS结构
  • 2篇ZNMGO
  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇电特性
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇电阻率
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇射线衍射
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇宽带隙
  • 1篇宽带隙半导体
  • 1篇宽带隙半导体...
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光谱

机构

  • 3篇浙江大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 3篇吴惠桢
  • 3篇金国芬
  • 2篇劳燕锋
  • 2篇徐天宁
  • 2篇梁军
  • 1篇张莹莹
  • 1篇余萍
  • 1篇王双江
  • 1篇陈笑松

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
立方相ZnMgO的电学特性研究
立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲...
金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁
关键词：立方相宽带隙半导体材料电学性能MIS结构
文献传递
立方相ZnMgO的电学特性
2007年
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.
金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁
关键词：MIS结构介电常数
氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性被引量：2
2008年
采用气体反应电子束蒸发法，氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌（ZnO）薄膜。AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高，且随氨气压的增加粗糙度也随之增加，这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关，但表面依然比较平整。XRD分析显示，（0002）衍射峰位没有发生移动，但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加，衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0．261°增加到0．427°。氧化锌掺氮后电阻率提高了4-7个数量级，达到了降低ZnO中电子浓度的目的。
王双江吴惠桢金国芬张莹莹陈笑松徐天宁
关键词：原子力显微镜X射线衍射光致发光光谱电阻率
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