闵泰
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- 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM
- 本发明公开了一种基于人工反铁磁固定层的磁性结构及自旋轨道矩‑随机磁存储器(Spin‑Orbit Torque Magnetic Random Access Memory，SOT‑MRAM)，其包含一个电场调控的基于人工反...
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- 无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法
- 本发明公开了一种无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法，该方法首先将熔盐与过渡金属氧化物粉末混合作为蒸发源，通过熔盐辅助化学气相沉积法生长制备过渡金属硫族化合物。然后通过使用去离子水，使去离子水与过渡金属硫族...
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- 一种用于超高真空的宽温区膜厚监测装置及监测方法
- 本发明公开了一种用于超高真空的宽温区膜厚监测装置及监测方法，超高真空腔体内置有镀膜衬底和一个传感器探头；超高真空腔体底部设有蒸发源；传感器探头内设晶振片、加热板和测温元件，通过传感器探头连接温度控制器，对晶振片加热；通过...
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- 一种随机电报信号生成方法及生成器
- 本公开揭示了一种随机电报信号生成方法，包括：S100：输入第一目标状态常数τ<Sub>state1</Sub>以及第二目标状态常数τ<Sub>state2</Sub>；S200：基于所述第一目标状态常数τ<Sub>sta...
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- 一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法，选取特定带隙的二维材料堆垛成垂直异质结作为沟道层，通过栅压控制使得器件在开态和关态时的能带结构分别为错层式排列和交错式排列，实现关态下低电流，开态下因带间隧穿...
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- 一种STT‑MRAM存储单元
- 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和...
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- 一种磁多层结构及SOT-MRAM
- 本发明公开了一种磁多层结构，一种自旋轨道矩‑磁性随机存储器，一种自旋轨道矩‑磁性随机存储器的写入和存储方法，涉及具有磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用，磁多层结构包括：铁电层，自旋轨道矩材料层和电场调控的基于...
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- 关联电子材料的自旋态限域调控与自旋电子器件应用研究进展
- 2019年
- 关联电子材料具有丰富的自旋序,包括铁磁、反铁磁、亚铁磁、螺旋磁序等,这些自旋序与电子轨道态、电荷空间分布等其他量子态存在强烈耦合,因而可以通过外场来实现不同自旋序的时域和空域调控。相对于存在化学界面的传统异质结构,在关联电子材料中利用外场限域调控,可以实现无化学界面的不同自旋序结构的空间可控排列,从而构筑基于同一材料的新型自旋电子器件。本项目围绕关联电子体系多量子态的调控规律展开,通过自旋电子学与量子物理、表面物理以及电介质物理的交叉,探索具有多场(磁场、电场、光场、应变场)可控性的新型关联自旋电子材料,发展新型的多场调控技术,揭示自旋序与量子态耦合机理,设计新型自旋电子器件,进而实现在同一关联电子材料中集成非挥发性自旋存储与逻辑运算功能。
- 孙继荣张远波成昭华孙阳禹日成刘邦贵陈沅沙殷立峰肖江吴骅王文彬闵泰马飞吴义政金晓峰赵海斌沈健
- 关键词：自旋电子学非易失性逻辑运算
- 铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器
- 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述...
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- 一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法
- 本发明提供了一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，可有效纠正或容忍随机存写错误，实现较低的存写电压或较快的存写速度。其存写操作采用递归式“写-读-校验”技术代替传统存写操作，以纠正由于改进存写容限或存写速度导致...
- 孙宏滨刘传银闵泰张彤郑南宁
