陈世彬
- 作品数：8 被引量：21H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金总装备部科研项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- 半导体辐射损伤及MOSFETs的无损筛选方法研究
- 陈世彬
- 关键词：半导体
- 1MeV中子在Si和SiO_2中非电离能量损失和电离能量损失的蒙特卡罗计算被引量：5
- 2001年
- 在现有实验数据的基础上结合多种理论 ,给出了计算中子在材料中非电离能量损失 ( NIEL )和电离能量损失 ( IEL)的蒙特卡罗 ( MC)计算方法 ,利用此方法编写的计算程序可以对任意材料、多层结构中中子产生的 NIEL和 IEL以及空位和声子分布等进行计算。对硅和二氧化硅材料 1Me V中子损伤进行的计算结果表明 。
- 陈世彬张义门陈雨生黄流兴张玉明
- 关键词：计算机模拟蒙特卡罗模拟半导体材料
- 质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算被引量：9
- 2001年
- 在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 (NIEL)和电离能量损失 (IEL)程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析和比较 .
- 陈世彬张义门陈雨生黄流兴张玉明
- 关键词：蒙特卡罗硅中子截面
- 不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较
- 在粒子与物质相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失 (IEL)以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了 1MeV中...
- 陈世彬张义门陈雨生黄流兴张玉明
- 关键词：蒙特卡罗计算机模拟
- 文献传递
- ^(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算被引量：4
- 2000年
- 本文提出了计算高能电子和 非电离能量损失 (NIEL)的 Monte Carlo方法 ,首次利用 Monte Carlo方法计算了高能电子和 6 0 Co 的 NIEL.给出了电子和 6 0 Co 在半导体硅材料中产生的 NIEL和缺陷分布 .计算结果与文献的比较表明模型是合理的 .
- 陈世彬陈雨生黄流兴张义门
- 关键词：钴60硅高能电子NIEL蒙特卡罗
- 不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较被引量：9
- 2001年
- 在粒子与物理相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 ( NIEL )和电离能量损失 ( IEL )以及电子和γ NIEL的 Monte Carlo计算程序 ,利用编写的程序以及 TRIM95和 SANDYL程序计算了 1Me V中子、2 0 Me V质子、1Me V以下电子和γ在硅中 IEL和 NIEL的大小和分布。
- 陈世彬张义门陈雨生黄流兴张玉明
- 关键词：计算机模拟中子质子能量损失硅MONTE
- 高纯锗探测器全能峰效率的Monte Carlo计算
- 本文利用 Monte Carlo 方法对平面型高纯锗探测器的全能峰效率进行了计算。探测器灵敏体积为φ50．46mm×20mm,放射源尺寸为φ23mm×2mm,源到探测器表面距离分别为10mm,30mm 和145mm,Be...
- 陈世彬
- 文献传递
- 电子辐射损伤Monte Carlo模拟方法
- 本文提出了高能电子位移能量损失的Monte Carlo模拟方法,利用该方法计算了高能电子在半导体硅中的阻止本领及产生的缺陷分布.计算结果与文献符合较好.
- 陈世彬西北核技术研究所(西安)张义门陈雨生张玉明
- 文献传递
