陈汉鸿
- 作品数：12 被引量：238H指数：6
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- ZnO薄膜和ZnO紫外探测器
- ZnO是一种多用途的材料.传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件,体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等.近年来,ZnO作为宽带半导体材料的研究越来越受到们的重视.ZnO薄膜的生长温度一般低于700℃,比G...
- 陈汉鸿
- 关键词：ZNO薄膜生长温度探测器
- 文献传递
- 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法
- 本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强...
- 叶志镇吕建国陈汉鸿赵炳辉黄靖云
- 文献传递
- 反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究被引量：14
- 2002年
- ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。
- 陈汉鸿吕建国叶志镇汪雷赵炳辉
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜高温退火氧空位氧化锌
- ZnO薄膜的研究与开发应用进展被引量：37
- 2002年
- ZnO是一种新型的 - 族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性,对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述,并展望了ZnO薄膜的发展前景。
- 吕建国陈汉鸿叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌半导体材料
- 氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法
- 本发明的氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法。它依次包括以下步骤：1)在氧化锌薄膜表面旋涂一层光刻胶，一次光刻刻出电极图形，除电极图形外，其余部分仍覆盖光刻胶涂层；2)用磁控溅射法在氧化锌薄膜表面沉积金属层，使金属层的...
- 叶志镇黄靖云陈汉鸿
- 文献传递
- ZnO薄膜的室温荧光光谱(PL)研究
- 利用直流磁控溅射法在SI(111)衬底上制备了C轴择优取向一致的ZnO薄膜，在室温下对薄膜 进行了PL谱和XRD测试，ZnO薄膜的PL谱上的本征紫外光发射(UV)出现分峰现象，并伴有较宽的绿乐发射峰，XRD谱表明衬底温度...
- 叶志镇陈汉鸿刘榕张昊翔
- 关键词：ZNO薄膜SI(111)衬底磁控溅射法
- 文献传递
- 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱被引量：90
- 2001年
- 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 .
- 叶志镇陈汉鸿刘榕张昊翔赵炳辉
- 关键词：直流磁控溅射光致发光光谱氧化锌PL谱
- ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究被引量：68
- 2003年
- 以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W .
- 叶志镇张银珠陈汉鸿何乐年邹璐黄靖云吕建国
- 关键词：ZNO薄膜欧姆接触光响应度
- ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展被引量：25
- 2001年
- 本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在的缺陷 ,如氧空位和锌间隙原子 ,Zn O天然呈 n型 ,p型的制备还有一定难度 。
- 陈汉鸿叶志镇
- 关键词：氧化锌
- 氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法
- 本发明的氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法。它依次包括以下步骤：1)在氧化锌薄膜表面旋涂一层光刻胶，一次光刻刻出电极图形，除电极图形外，其余部分仍覆盖光刻胶涂层；2)用磁控溅射法在氧化锌薄膜表面沉积金属层，使金属层的...
- 叶志镇黄靖云陈汉鸿
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