高卫东
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金青岛市科技发展计划项目山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术哲学宗教电子电信金属学及工艺更多>>
- SiC、GaN宽带隙半导体一维纳米材料及阵列的合成及性能研究
- 李镇江孟阿兰汪传生郭建章张淼张金丽高卫东
- 本项目开发出一种原创性的合成纳米材料的新方法——气相化学反应法，在无空间限制条件下，制备出SiC、GaN等宽带隙半导体一维、准一维纳米材料，围绕着合成工艺、生长机理和新颖的光学及场发射性能，开展了以下研究工作： （1）...
- 关键词：
- 关键词：SICGAN一维纳米材料光学特性
- 不同形貌Ga_2O_3纳米材料可控合成工艺研究被引量：1
- 2007年
- 通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga_2O_3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga_2O_3纳米材料的工艺条件。场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga_2O_3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片。X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223nm,b=0.304nm,c=-0.58nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga_2O_3晶体。
- 孟阿兰高卫东李镇江万里冰
- 关键词：不同形貌
- 基于Fe催化条件下周期性VLS机制大量合成SiC纳米棒的研究
- 2009年
- 通过简单化学气相反应法,在1300℃下合成出大量SiC纳米棒产物,着重研究了Fe催化条件下该SiC纳米棒的生长机制。采用数码相机、立式显微镜、场发射扫描电镜、能谱分析仪、透射电镜、选区电子衍射仪、高分辨透射电镜及X射线粉末衍射仪对产物的宏观产量、微观形貌、化学成分及晶体结构进行了表征。结果表明,石墨基片上生成1层较厚的浅蓝色产物,产量达克量级,产物由均匀的纳米棒组成,直径约100nm,长达几微米,具有立方β-SiC晶体结构。基于Fe-C-Si三元合金相变原理及传统的VLS机制,首次提出一种周期性的气-液-固(Periodic-VLS)生长模型对SiC纳米棒的形成过程进行了详细讨论。
- 李镇江高卫东孟阿兰李迎春
- 关键词：合金相变VLS
- 不同形貌SiC一维纳米材料的合成、机理及性能研究
- 近年来宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的研究兴趣,成为低维材料科学领域的重要研究热点之一。这些SiC一维纳米材料由于自身独特的形貌特征及优异的性能使其在光、电、磁以及力学等方面具备广泛的应用前景。本文详细...
- 高卫东
- 关键词：不同形貌显微结构光学特性
- 文献传递
- 纳米科技发展之哲学反思
- 2007年
- 纳米材料研究近年来已取得了长足的发展,成为当今科学研究的热点,但是还面临着诸多困难。纳米科技发展存在着科研成果转化率不高、公众认识偏差、环境污染等几个突出问题。针对我国纳米科技的发展及其产业化问题,建议普及纳米科技知识、促进企业和高校产学研结合、建立纳米产品中介机构及完善市场准入机制等。在人类理性归约之下,纳米科技必将实现其价值,促进社会进步,造福于人类。
- 李镇江万里冰郭锋高卫东
- 关键词：辩证唯物主义认识论哲学
- 合成一维β-SiC纳米材料原料粉体的球磨工艺研究被引量：2
- 2008年
- 采用高能球磨对合成一维β-SiC纳米材料的原料-Si粉和SiO2粉分别进行处理。通过正交试验研究球磨转速、时间、球料比、级配比等因素对球磨后粉体粒径的影响规律,结果表明,Si粉的球磨优化工艺为转速300r/min、球磨时间4h、球料比5:1,级配比φ20 mm:φ10 mm:φ6mm:φ2mm=1:50:180:400;SiO2粉的球磨优化工艺为转速350 r/min、球磨时间4.4 h、球料比15:1,级配比φ20mm:φ10mm:φ6mm:φ2mm=1:50:180:400。借助粒度分析仪及透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征,发现经过球磨处理后的粉体粒度分布均匀,比表面积提高,可用以合成高质量的一维β-SiC纳米材料。
- 李镇江万里冰孟阿兰高卫东
- 关键词：高能球磨正交试验粒度
