高宝红
- 作品数：70 被引量：48H指数：4
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 金刚石膜电化学氧化液的制备及清洗技术研究被引量：1
- 2012年
- 提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。
- 张艳檀柏梅高宝红刘玉岭黄妍妍
- 关键词：金刚石膜电极电化学有机物氧化液
- 液晶屏的清洗方法
- 本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声...
- 刘玉岭高宝红檀柏梅黄妍妍
- 碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理被引量：4
- 2018年
- 苯并三唑（BTA）在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光（CMP）后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对抛光后晶圆表面残留BTA的去除效果及机理。首先通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）研究了BTA在铜表面的吸附状态,发现铜表面的氧化程度会影响BTA在晶圆表面的吸附状态;然后采用体积分数为0.02%、pH值为10.3的碱性多羟多胺螯合剂去除铜表面BTA薄膜。FTIR和XPS测试结果显示,碱性多羟多胺螯合剂可以有效去除铜表面BTA薄膜;最后,通过实验数据研究了碱性多羟多胺螯合剂去除BTA的机理。
- 高宝红高宝红车佳漭檀柏梅杨柳刘玉岭
- 多层铜布线表面CMP后颗粒去除研究被引量：3
- 2012年
- 针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用。研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了铜片表面颗粒的吸附机理。采用非离子表面活性剂润湿擦洗方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态。利用金相显微镜和原子力显微镜(AFM)在清洗前后进行对比分析,实验采用聚乙烯醇(PVA)刷子分别对铜片和铜布线片进行清洗,发现非离子界面活性剂能够有效去除化学机械抛光后表面吸附的杂质,达到了较好的清洗效果。
- 杨飞檀柏梅高宝红苏伟东田巧伟刘楠
- 关键词：非离子表面活性剂
- 电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响被引量：2
- 2014年
- 掺硼金刚石（BDD）薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积（HF—CvD）方法制备掺硼金刚石薄膜，并用金相显微镜、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发，研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5～13V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高；电极间距在0．5～4cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。
- 程川高宝红张男男杨志欣孙铭斌檀柏梅
- 关键词：电化学
- 碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响
- 2014年
- 以丙酮为碳源,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在钽衬底上制备p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。在BDD电极制备过程中,碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利用AFM和XRD分析了丙酮体积分数对BDD电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法研究了采用不同体积分数的丙酮沉积的BDD电极对电化学窗口和背景电流的影响。分别采用BDD电极和不锈钢片作阳极和阴极电解K2SO4溶液,并利用KMnO4滴定法检测BDD电极的氧化效率。结果表明,优化丙酮体积分数可以提高BDD的均匀性和附着力。合适的丙酮体积分数所制备的BDD电极具有电化学窗口宽、背景电流低和电极氧化效率高等特点,有很好的应用前景。
- 张男男檀柏梅高宝红程川杨志欣
- 蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法
- 本发明涉及一种蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液,其主要组成成分按重量％计，包括重量浓度2-50wt％以及粒径15-150nm的纳米SiO<Sub>2</Sub>水溶胶10-50％、活性剂0.05-1％，螯合剂0.1-1％，p...
- 牛新环高宝红孙鸣王如王娟刘玉岭
- 低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究被引量：1
- 2016年
- 主要研究了低磨料质量分数阻挡层抛光液的抛光性能,并将其与商用抛光液进行了对比。由实验结果可以看出,当固定抛光液中的磨料质量分数时,铜的去除速率随着磨料粒径的减小而升高。当固定磨料粒径不变时,铜的去除速率随着磨料质量分数的升高而迅速升高,而钽略有升高但不明显。当磨料质量分数为5%时,铜和钽的去除速率选择比最优。通过对比实验可以看出,用磨料质量分数为5%的抛光液抛光后,晶圆表面粗糙度较商用抛光液降低了约30%,并且磨料质量分数为5%的抛光液抛光后的晶圆蝶形坑明显优于商用抛光液抛光后的晶圆蝶形坑。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟王如孙鸣高宝红岳昕李祥州李月
- 关键词：阻挡层去除速率粗糙度
- 掺硼质量浓度对BDD电极电化学特性的影响被引量：2
- 2016年
- 掺硼金刚石(BDD)薄膜电极析氧电位高、背景电流小、耐腐蚀的特性,使其在电化学应用方面受到广泛关注。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在钽基底上制备了不同掺硼质量浓度的金刚石薄膜电极,通过扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜表面形貌,利用循环伏安法研究了电极的电化学特性。结果表明:掺硼质量浓度为2 g/L时,制备的薄膜电极质量最好,晶粒尺寸最大,电势窗口达到3.99 V;继续增大掺硼质量浓度,粒径减小,薄膜质量变差,电势窗口逐渐减小。BDD电极在酸、盐、碱性溶液中的析氧电位分别为2.11,1.82和0.86 V,呈递减趋势。
- 李海清高宝红檀柏梅
- 一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法
- 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计<Image file="DDA0001046037320000011.GIF" he="277" imgContent=...
- 王辰伟高宝红李祥州刘玉岭何彦刚
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