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丁丁: 作品数：11 被引量：21H指数：3; 供职机构：南京航空航天大学更多>>; 发文基金：中国博士后科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电气工程核科学技术电子电信更多>>

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外延硅基PIN结微型同位素电池及其制备方法: 本发明公开了一种外延硅基PIN结微型同位素电池。该同位素电池包括：放射性同位素源、钝化层、保护环金属电极层、活性区P+区、保护环区P+区、N+型衬底层、N...; 刘云鹏汤晓斌丁丁陈达

基于μClinux的FPGA远程更新系统的实现被引量：3: 2014年; 针对Altera公司的Cyclone系列FPGA在特殊环境中无法使用下载电缆来重新配置芯片的问题,设计并实现了一个基于μClinux的FPGA远程更新系统。该系统利用Altera的片上可编程系统(SoPC)技术,嵌入Nios II软核处理器,移植μClinux系统,通过UART串口接收升级数据,通过MTD驱动将升级数据写入配置芯片EPCS4和CFI存储芯片。该方法利用FPGA的软硬件可编程的特点,实现了系统软硬件同时在线升级,完成了FPGA的远程更新。; 丁丁汤晓斌陈立德殷树根; 关键词：ΜCLINUX FPGA 远程更新 UART

GaN基β辐射伏特效应微电池的优化设计研究被引量：3: 2012年; β辐射伏特效应同位素微电池具有体积小、工作稳定性好、寿命长、能量密度高、抗干扰性强等优点,逐渐成为微能源研究的方向.本文以半导体物理理论为基础,提出基于宽禁带半导体材料GaN和放射性同位素147Pm的同位素微电池最优化设计方案.引入对同位素源自吸收效应的考量,通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的最优化厚度,半导体材料PN结结深、耗尽区厚度、掺杂浓度,以及电子空穴对的产生及收集情况进行了研究和分析.提出的辐射伏特效应同位素微电池最优化设计方案可实现:147Pm单次衰变在能量转换单元中沉积的能量为28.2keV;同位素电池的短路电流密度为1.636μA/cm2,开路电压为3.16V,能量转化率为13.4%.; 汤晓斌刘云鹏丁丁陈达; 关键词：氮化镓半导体材料

基于液态半导体的夹层结构核电池及制备方法: 基于液态半导体的夹层结构核电池及制备方法，包括衬底、金属层、液态半导体、绝缘材料、放射性金属和非放射性金属，所述放射性金属与非放射性金属为一体结构，且放射性金属设于非放射性金属中间；绝缘材料、金属层和衬底均由近及远依次设...; 汤晓斌刘云鹏丁丁陈达; 文献传递

基于液态半导体的夹层结构核电池及制备方法: 基于液态半导体的夹层结构核电池及制备方法，包括衬底、金属层、液态半导体、绝缘材料、放射性金属和非放射性金属，所述放射性金属与非放射性金属为一体结构，且放射性金属设于非放射性金属中间；绝缘材料、金属层和衬底均由近及远依次设...; 汤晓斌刘云鹏丁丁陈达

乏燃料贮运用铝基碳化硼复合材料的屏蔽性能计算被引量：10: 2013年; 采用蒙特卡罗方法,利用MCNP程序计算了在中子能量为0.5—20 MeV,235U核热中子裂变源条件下,厚度为3—9 cm、碳化硼含量5%—15%的铝基碳化硼复合材料在空气、水、200—1400 ppm(1 ppm=10 6)硼酸溶液介质中的中子透射系数.结果表明:B4C/Al复合材料的透射系数随碳化硼含量和材料厚度的增加而减少,随中子能量的升高而增大,而硼酸浓度的改变对中子透射系数影响不大.B4C/Al复合材料在水中比硼酸中更能发挥其屏蔽效果,在空气中屏蔽特性显现出"反转"现象,中子能量高于5 MeV时透射系数几乎没有变化.在裂变源条件下的B4C/Al复合材料中子透射系数均比稳定源20 MeV低.介质的中子屏蔽效果是硼酸溶液>水>空气,水介质的中子透射系数与介质厚度呈指数下降关系,裂变源和稳定源条件下分别近似为e 0.71x和e 0.669x,x为厚度(cm).; 戴龙泽刘希琴刘子利丁丁; 关键词：蒙特卡罗 B4C

Si基^63Ni辐射伏特效应同位素电池的优化设计与分析被引量：4: 2012年; 目前国内外研究的各类微能源中,β辐射伏特效应同位素电池因能量密度高、寿命长、输出性能稳定等优点在许多领域具有广泛的应用前景.本文从辐射伏特效应的基本原理出发,通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,得出了辐生电流、开路电压等性能参数的计算公式,探讨了少子扩散长度、掺杂浓度、结深等对性能的影响,并提出了采用硅基63Ni源的同位素电池的最佳设计参数:63Ni源质量厚度为1mg/cm2,单晶硅半导体P区掺杂浓度为1×1019cm?3,N区掺杂浓度为3.16×1016cm?3,结面积为1cm2,结深为0.3?m,总厚度不超过160?m.得到的短路电流、开路电压、最大输出功率及转化率分别为:573.3nA,0.253V,99.85nW,4.94%.为低功率场所,如微型机电系统、心脏起搏器等所需的微能源提供参数依据.; 汤晓斌丁丁刘云鹏陈达; 关键词：半导体材料

外延硅基PIN结微型同位素电池及其制备方法: 本发明公开了一种外延硅基PIN结微型同位素电池。该同位素电池包括：放射性同位素源、钝化层、保护环金属电极层、活性区P+区、保护环区P+区、N+型衬底层、N...; 刘云鹏汤晓斌丁丁陈达; 文献传递

GaAs基β辐射伏特效应微电池的参量优化设计研究被引量：3: 2012年; 考虑放射性同位素源自吸收效应,提出基于半导体材料GaAs和同位素源63 Ni的微电池最优化设计方案,并通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的厚度,换能单元PN结结深、耗尽区宽度、掺杂浓度、少子扩散长度,及电子空穴对的产生及收集情况等进行了研究和分析,给出了不同结深下,各物理参量的最佳设计值。在源活度为3.7×107 Bq,PN结表面积为0.01cm2时,提出的辐射伏特效应微电池最优化设计方案可实现:短路电流密度为379.68nA/cm2,开路电压为1.375V,填充因子为84.39%,最大输出功率为440.4nW/cm2,能量转化率为4.34%。; 刘云鹏汤晓斌丁丁谢芹陈飞达陈达; 关键词：砷化镓微电池蒙特卡罗方法

复合夹层结构微型核电池的优化设计与温度影响研究: 与以往单层换能结构不同,提出一种基于单晶硅和同位素源63Ni的复合夹层结构的β辐射伏特效应微型核电池.考虑同位素源的自吸收效应,通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程,对同位素源与半导体材料的厚度...; 刘云鹏汤晓斌丁丁陈达; 关键词：温度影响优化设计