余振坤
- 作品数：21 被引量：104H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第十四研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用研究与实践被引量：9
- 2010年
- 介绍了LDMOS功率器件的特性,通过与传统Si功率器件相比较,LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点,在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景,本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析,并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件,对LDMOS功率放大组件进行性能测试,根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。
- 刘晗余振坤郑新商坚钢
- 关键词：LDMOSBJT功率器件
- SiC宽禁带功率器件在雷达发射机中的应用分析被引量：25
- 2007年
- 介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与Si和GaAs半导体相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点。SiC宽禁带功率器件,尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性和总效率等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景。文章还详细论述了现代雷达对SiC功率器件的具体指标要求。
- 余振坤郑新
- 关键词：宽禁带半导体雷达发射机
- 射频大功率测量误差分析被引量：12
- 2006年
- 通过对射频测量误差,尤其是在大功率条件下的测量误差进行了深入研究。从理论上详细分析了由于功率源和负载间失配而引起误差的机理,并通过实例对大功率条件下使用衰减器和定向耦合器两种测量方法引起的误差进行分析对比,结果表明:选择端口驻波小的器件和简化测试系统可以有效地降低测量误差,同时要求在工程设计时要尽可能减小输出驻波。
- 余振坤曲文英
- 关键词：射频功率驻波系数
- UHF高功率固态雷达发射机被引量：5
- 2006年
- 介绍了一种UHF频段高机动、高可靠的高功率固态雷达发射机的组成情况。对650 W功率组件、功放电源及过工作比保护电路的设计等进行了具体分析,对影响固态雷达发射机可靠性的因素及提高其可靠性的方法作了较深入的探讨。
- 黄江余振坤
- 关键词：功率组件结温功放电源
- 大动态范围增益可控固态放大器系统的实现被引量：2
- 2017年
- 针对雷达发射多波束的需求,研制了一套基于氮化镓高电子迁移率晶体管三代半导体器件的增益可控固态放大器系统。描述了系统中微波放大模块、幅相控制和相位补偿的实现方案,分析了功率放大器栅极电压与放大器增益和输出信号相位的关系。通过幅相控制电路实现发射通道输出信号幅度和相位快速转换,满足发射多波束的需求。经试验验证,研制的大动态范围增益可控固态放大器系统,提高了效率和工作带宽,解决了传统发射多波束系统中的问题。
- 马福博余振坤葛园园
- 关键词：大动态范围射频放大器
- 一种微波模块单元结构
- 本申请公开了一种微波模块单元结构，所述微波模块单元结构包括第一微波模块和第二微波模块，第一微波模块的信号传输平面和第二微波模块的安装面对应拼接后形成第一缝隙；第一微波模块的跨接面和第二微波模块的跨接面上设有凹槽；所述凹槽...
- 曹泽华余振坤谢金祥王卫华
- 文献传递
- 300W宽禁带功率组件的设计
- 文章对第三代SiC宽禁带功率器件进行了介绍,并与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽具有很大优势。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段0.8～1.4GHz频段,300W宽带功率组件。对组件...
- 张毅余振坤
- 关键词：功率放大器宽禁带
- 文献传递
- 基于正态分布的T/R组件统计分析及概率预计被引量：1
- 2014年
- 大批量T/R组件的幅相特性指标数据符合正态分布,为了满足T/R组件一致性,要求主要器件也要满足一定的分布。文中通过分析某项目中大批量T/R组件的数据,得到其指标的概率分布,分析了影响其一致性的关键因素,并给出了其指标的概率预测,从而得到了在满足雷达总体性能基础上实现批量T/R组件生产控制的基本要求。
- 陈兆国余振坤夏婷婷吴春盛
- 关键词：T/R组件幅相一致性
- X波段HPM窄脉冲高峰值功率T/R组件设计与实践被引量：1
- 2019年
- 第三代半导体技术的快速发展及固态功率器件峰值功率的大幅提高,使得构建基于有源相控阵体制的高功率微波系统成为可能。与传统的相控阵雷达系统相比,其射频工作脉冲最窄要求十纳秒以下,而输出功率要达到万瓦量级,采用传统设计方法已经无法实现。文中研制了用于高功率微波系统的X波段T/R组件及其关键技术,该组件基于新型GaN大功率微波器件,采用放大链稳定级联设计实现了高峰值输出功率(数千瓦);通过高压大电流调制器和窄脉冲微波功率放大技术实现了10纳秒脉宽射频的放大输出,其前后沿达纳秒量级;应用小型化大功率合成和8通道高功率集成一体化满足结构小型化要求,阵面单位面积下的功率密度达到300W/cm^2。经测试,T/R组件性能指标满足高功率微波系统的要求,验证了固态高功率微波(HPM)相控阵体制的可行性,也为进一步实现工程化系统奠定了技术基础。
- 余振坤郑新田为曾贵炜
- 关键词：氮化镓收发组件X波段
- S波段宽带GaN芯片高功率放大器的应用研究被引量：35
- 2011年
- 介绍了一种采用阻抗匹配技术和功率合成技术相结合的方法,利用4只GaN HEMT功率芯片研制成功的S波段宽带、大功率、高功率密度放大器。具体的技术途径是通过预匹配技术提高芯片输入阻抗,运用切比雪夫匹配法实现宽带阻抗匹配,优化隔离电阻增加合成支路间的隔离度,同时提高电路的稳定性。放大器最终实现的性能指标是:脉宽300μs,占空比10%,S波段30%相对带宽内脉冲输出功率大于65W,附加效率大于45%。由此进一步表明了此类GaN芯片高功率放大器相对于Si和GaAs功率器件放大器在带宽和功率密度等性能上具有较大的优势并具有广阔的工程应用前景。
- 余振坤刘登宝
- 关键词：功率合成宽带放大器
