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余晨辉

作品数:72 被引量:23H指数:3
供职机构:南通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 53篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇探测器
  • 15篇光电
  • 12篇光电探测
  • 12篇光电探测器
  • 11篇氮化镓
  • 9篇碳化硅
  • 8篇雪崩
  • 8篇纳米
  • 8篇晶体管
  • 8篇功率二极管
  • 8篇二极管
  • 8篇半导体
  • 7篇纳米线
  • 7篇常闭
  • 6篇雪崩光电探测...
  • 6篇异质结
  • 6篇击穿电压
  • 6篇光谱
  • 5篇终端结构
  • 5篇阈值电压

机构

  • 61篇南通大学
  • 16篇中国科学院
  • 4篇西南技术物理...
  • 2篇南京信息工程...
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 72篇余晨辉
  • 12篇罗向东
  • 8篇陆卫
  • 8篇李林
  • 6篇张波
  • 6篇徐炜炜
  • 4篇余丽波
  • 4篇陈效双
  • 4篇刘培生
  • 4篇马青兰
  • 3篇李宁
  • 3篇陈平平
  • 3篇李志锋
  • 2篇朱晓军
  • 2篇罗庆洲
  • 2篇许金通
  • 2篇王鸥
  • 2篇覃文治
  • 2篇李亚军
  • 2篇石柱

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇红外与激光工...
  • 2篇南通大学学报...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇科技信息
  • 1篇大学教育

年份

  • 6篇2025
  • 10篇2024
  • 10篇2023
  • 10篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
72 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池,在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中,与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大,但其带隙差值不大于0...
余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
文献传递
一种日盲紫外单光子雪崩探测器
本发明公开了一种日盲紫外单光子雪崩探测器,包括雪崩光电探测器和多根纳米线;所述雪崩光电探测器为工作在盖革模式下的日盲紫外铝镓氮雪崩光电探测器;所述纳米线为负光电导效应的氮化镓纳米线;所述多根纳米线设于雪崩光电探测器的光敏...
余晨辉李林陈红富徐腾飞
文献传递
一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的方法
本发明公开了一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法,利用氮化镓‑石墨烯衬底,通过改变给石墨烯层外加的栅极偏压,来控制外延生长模式的选择。若在石墨烯层栅极上外加正向偏压,那么石墨烯中的主要载流子类型为电子,抑...
余晨辉秦嘉怡沈倪明陈红富陆炎成田恬罗曼
GaN基p沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种增强型GaN基p沟道场效应晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域。所述GaN基p沟道场效应晶体管自下而上包括:衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层、第一p型半导体层、第二UID‑GaN层、n‑GaN...
葛梅张文倩余晨辉
一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
本发明公开了一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法。此器件主要结构为圆柱结构,自下至上依次为N+型SiC衬底层、N‑型SiC漂移层、P+型SiC层;此器件的三个JTE结构,环绕P+型SiC层呈同心圆状自内向外...
余晨辉陈红富沈倪明罗曼
一种基于氮化镓E类逆变电路的设计与优化方法
本发明公开了一种基于氮化镓E类逆变电路的设计与优化方法,采用蒙特卡洛分析与神经网络模型SeLUNet Boost相结合实现。通过模型实现对电路参数与转化效率之间映射关系的学习和预测,并根据预测的最大转化效率,设计电路中相...
鲜佳赤余晨辉祖源泽周杨王奕锦罗曼罗向东
检测腔楞次效应感生电流的装置及其制作和检测方法
本发明公开了一种检测腔楞次效应感生电流的装置及其制作和检测方法,其中所述装置包括磁场发生器,置于磁场发生器所产生的磁场内的法布里‑珀罗谐振器,设置于法布里‑珀罗谐振器中心平面上的圆板,以及与法布里‑珀罗谐振器两端连接的矢...
余晨辉徐腾飞李林陈红富
文献传递
一种共源共栅氮化镓电路的强化监督学习设计与优化方法
本发明公开了一种共源共栅氮化镓电路的强化监督学习设计与优化方法,采用ZVS状态量化技术与强化监督学习相结合实现。通过蒙特卡洛仿真出的电路初始参数数据集初步训练神经网络模型,进一步在模型的训练过程中增添将ZVS相关状态数据...
鲜佳赤余晨辉刘爱苗李哲宇祖源泽罗向东
半导体二维电子气圆偏振自旋光电流的检测系统及其检测方法
本发明公开了半导体二维电子气圆偏振自旋光电流的检测系统及其检测方法,检测系统包括单色圆偏振光源、半导体二维电子气样品、压电陶瓷片、高压交流信号源、锁相放大器和电阻;所述单色圆偏振光源斜照射半导体二维电子气样品;所述压电陶...
余晨辉罗向东刘培生徐炜炜
文献传递
一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法,其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N层、i型Al<Sub>x2</Sub...
余晨辉李林陈红富徐腾飞罗曼
文献传递
共8页<12345678>
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