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铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法: 本发明公开了属于光电功能材料领域的一种铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法。是按照CuIn1－xGaxSe2或CuIn1－x</S...; 庄大明张弓张宁元金石李春雷宋军; 文献传递

双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：1: 2008年; 采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa(CIG)双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1.0 Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。; 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷; 关键词：太阳能电池磁控溅射

硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅱ) 预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响: 2009年; 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构,延长硒化时间为25min,CIGS薄膜变得致密。; 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷; 关键词：太阳电池 CIGS 磁控溅射

载气对CIGS薄膜结构和表面形貌的影响被引量：9: 2008年; 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,采用Ar和N2为载气时,在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。采用Ar为载气时,当Ar流量为0.10 m3/h时,所获得的CIGS薄膜的孔隙最少,随着Ar流量的增大,薄膜孔隙增多,变得疏松。采用N2为载气时,当N2流量为0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h时,所获得的CIGS薄膜孔隙较多,当N2增大到0.40 m3/h时,薄膜变得致密,所获得的CIGS的CuI、n、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。; 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷; 关键词：太阳能电池 CIGS 磁控溅射

铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究被引量：8: 2007年; 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,在硫源温度处于280℃到360℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1μm。; 查杉元金石张弓庄大明; 关键词：太阳能电池

氮气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：1: 2008年; 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以N2为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同的N2流量下制备的CIGS薄膜,均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当Ar流量为0.40m3/h时,薄膜表面结构致密,晶粒大小均匀,并且Cu、In、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。; 韩东麟张弓庄大明沙晟春元金石; 关键词：太阳能电池 CIGS 磁控溅射

硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：5: 2007年; 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se(2 CIGS)吸收层薄膜,考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同的硒源温度下制备的CIGS薄膜,均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒源温度为575℃、580℃和585℃时,CIGS薄膜表面结构疏松,多孔隙;当硒源温度为590℃、595℃和600℃时,CIGS薄膜结构致密,表面平整。当硒源温度为600℃时,Cu、In和Ga原子含量处于制备弱p型CIGS吸收层薄膜的理想范围。; 韩东麟张弓庄大明元金石宋军; 关键词：太阳能电池 CIGS 磁控溅射硒源

硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：6: 2009年; 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。; 韩东麟张弓庄大明元金石宋军; 关键词：太阳电池 CIGS 磁控溅射

一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺: 本发明属于光电材料新能源技术领域，特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu2Se粉末和In2Se3粉末，混合后在行星式球磨机中球磨，而...; 张弓庄大明元金石李春雷张宁宋军; 文献传递

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