刘丽杰
- 作品数：3 被引量：25H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金天津市重点科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响被引量：8
- 2008年
- 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.
- 袁育杰侯国付薛俊明韩晓艳刘云周杨兴云刘丽杰董培赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜
- 掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究被引量：12
- 2009年
- 以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100变化至8.0∶100,电阻率呈现先递减后递增的规律。当Al∶Zn原子比为4.0∶100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3Ω.cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高。为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成。
- 赵静刘丽杰蔡宁薛俊明赵颖
- 关键词：ZNO掺杂电学特性
- 用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响被引量：5
- 2007年
- 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。
- 薛俊明侯国付王雅欣段苓伟刘丽杰赵颖耿新华
- 关键词：磁控溅射
