史子康
- 作品数：30 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术环境科学与工程更多>>
- 用^(22)Na的正电子测量固体表面膜的寿命谱学技术被引量：1
- 1993年
- 以薄金属膜为例,全面地阐述在等温和金属原子所占空间体积不变的条件下,用^(22)Na的正电子测量固体表面膜的寿命谱学法的原理和实用技术。
- 史子康
- 关键词：正电子
- 正电子湮没技术研究Nd:YAP单晶色心
- 1992年
- 通过e^+湮没寿命谱学测试,研究了^(60)Co照射、脉冲氙灯照射及氢气中高温退火对色心的影响。建立了一种测量无色心晶体固有结构缺陷的新方法。
- 史子康
- 关键词：ND:YAP正电子湮没
- 用正电子湮没寿命谱学法研究“浸泡”工艺对Nd∶YAP晶棒质量影响被引量：1
- 1991年
- 报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd∶YAP单晶中引入的“浸泡”工艺对晶体质量的影响,证实了“浸泡”工艺可以改善晶体质量.
- 史子康
- 关键词：ND:YAP正电子湮没
- 磺酸水杨酸二钠单晶正电子湮没研究被引量：1
- 1990年
- 本文用正电子湮没谱学法研究磺酸水杨酸二钠单晶,测出单晶极性正负方向和极性电动势,并将电导性能,结构、生长联系起来。通过热处理前后α轴方向样品的正电子湮没研究,了解晶体内部缺陷运动规律。
- 史子康
- 关键词：磺酸单晶正电子湮没
- 14烷酸铅(LM)皂膜晶体的正电子湮没寿命谱学法研究
- 1992年
- 本文用正电子湮没寿命谱学法研究石英片上LM皂膜的晶体质量。发现制膜工艺对质量影响很大,并分析了影响质量的原因。最后提出了合理的热处理有可能提高LM晶体膜质量。
- 史子康俞贤椿
- 关键词：晶体LM正电子湮没
- β-BaB_2O_4晶体缺陷的正电子湮没研究被引量：1
- 1993年
- 该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB_2O_4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.
- 林翔唐鼎元史子康
- 关键词：晶体缺陷正电子湮没
- 测量具有较长寿命的任意样品的寿命谱确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法研究
- 1989年
- 本文在研究高斯拟合６０Ｃｏ分辨程序物理的基础上，进一步阐明通过测量具有较长 寿命的任意样品的寿命谱，确定正电子湮没谱仪分辨函数的方法．
- 程利青史子康
- 关键词：正电子湮没分辨率
- Gd_2O_3-MgF_2膜的正电子湮没研究
- 2000年
- 用 2 2 Na正电子湮没寿命谱学法检测石英片上 Gd2 O3Mg F2 膜 .阐明了正电子湮没参数和膜结构的关系 .
- 官月英史子康
- 关键词：正电子湮没膜结构
- 快速监测大气中人工放射性气溶胶污染
- 1987年
- 目前原子能利用可分为二大类,一类为战争需要;开展的核试验,另一类是和平利用原子能,造福人类。不论属于哪一类利用,都需要核燃料.从核燃料的开采(包括其它放射性矿)、冶炼、反应堆的运行、核爆炸,都要向大气放出一定量的人工放射性气溶胶,造成大气的放射性污染。这些放射性物质通过人们的呼吸,部分进入工作人员及居民的体内。特别是某些长寿命的α、β放射性物质,长期停留在人体内.
- 史子康
- 关键词：放射性污染放射性浓度气溶胶浓度子体
- 用正电子湮没寿命谱学法研究DKDP单晶缺陷形成机理被引量：1
- 1992年
- 本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。
- 史子康官月英
- 关键词：DKDP晶体正电子湮没
